[发明专利]一种用于磁体废料循环利用的富相合金及废旧磁体循环再利用的方法

权利要求书

1.一种用于磁体废料循环利用的富相合金，其特征在于，具有如式I所述的通式：

RE_x-M_y-H_z I；

其中，0.8≤x≤0.97，0.02≤y≤0.2，0.005≤z≤0.02，且x+y+z=1；

RE选自La、Ce、Ho、Gd、Pr、Nd、Ho、Dy和Tb中的一种或多种；

M 选自Al、Cu、Zn、Sn、Ga、Ge、Nb、V、W、Ti、Ni、Zr、Ta、Mn、Cd 和Mo的一种或多种，其中M不单独选自Al；

H为氢元素；

所述用于磁体废料循环利用的富相合金可以对不同牌号的磁体废料进行综合利用，通过调整配比，生产特定牌号或新牌号的磁体成品；

所述磁体成品由磁体废料和富相合金经制备后得到。

2.根据权利要求1所述的富相合金，其特征在于，所述RE选自Pr、Nd、Dy、Tb、Ho和Gd中的一种或多种；

所述M选自Al、Cu、Ga、Nb、Ni、Ti和Zr中的一种或多种；

所述富相合金的含氧量小于等于1000ppm 。

3.一种采用权利要求1或2所述的富相合金制备磁体的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）将磁体废料经过破碎和氢破碎后，得到A合金粗粉；

将富相合金原料经过熔炼铸片或铸锭后，再经过氢破碎后，得到B合金粗粉；

2）将上述步骤得到的A合金粗粉和B合金粗粉进行混合，经过磨粉后，得到混合细粉；

3）将上述步骤得到的混合细粉经过取向成型和烧结后，得到磁体。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述A合金粗粉和B合金粗粉的质量比为（90~99）：（10~1）；

所述破碎后的粒度小于等于30mm；

所述熔炼铸片后的铸片厚度为0.1~0.6mm；所述熔炼铸锭后的铸锭单重为0.1~5kg 。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述B合金的熔点低于A合金的熔点；

所述磁体废料包括同牌号的磁体废料或不同牌号的磁体废料；

所述磁体废料为烧结磁体废料。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述磁体废料的氢破碎过程中，吸氢时间为60~180min，吸氢温度为20~300℃；

脱氢时间为3~7h，脱氢温度为550~600℃；

所述磁体废料经过氢破碎后，还包括水冷步骤；

所述水冷的时间为0.5~2h。

7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述磨粉具体为加入润滑剂进行磨粉；

所述润滑剂占所述混合细粉质量比为0.02%~0.1%；

所述磨粉后的粒度为2~5μm 。

8.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述取向成型包括取向压制和等静压成型步骤；

所述取向成型具体为：在无氧或低氧的条件下，进行取向成型；

所述烧结的温度为1030~1060℃；所述烧结的时间为6~10h；

所述烧结后还包括时效处理步骤。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述时效处理包括第一次时效处理和第二次时效处理；

所述第一次时效处理的温度为700~950℃，所述第一次时效处理的时间为2~15小时；

所述第二次时效处理的温度为350~550℃，所述第二次时效处理的时间为1~8小时。

10.一种采用权利要求1或2所述的富相合金制备磁体的方法，其特征在于，包括以下步骤：

a）将磁体原料经过破碎和氢破碎后，得到a合金粗粉；

将富相合金原料经过熔炼铸片或铸锭后，再经过氢破碎后，得到B合金粗粉；

b）将上述步骤得到的a合金粗粉和B合金粗粉进行混合，经过磨粉后，得到混合细粉；

c）将上述步骤得到的混合细粉经过取向成型和烧结后，得到磁体。