[发明专利]显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201710982093.6 | 申请日: | 2017-10-20 |
公开(公告)号: | CN107994051B | 公开(公告)日: | 2023-08-08 |
发明(设计)人: | 李骏熙;裴寅浚;戎野浩平 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H10K59/131 | 分类号: | H10K59/131;H10K71/00;G09G3/3208 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;董婷 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
扫描线,位于基底上在第一方向上延伸,其中,所述扫描线发送扫描信号;
数据线,在与所述第一方向相交的第二方向上延伸,其中,所述数据线发送数据信号;
电源线,在所述第二方向上延伸,其中,所述电源线发送电源电压;
晶体管,包括连接到所述扫描线和所述数据线的第二晶体管以及连接到所述第二晶体管的第一晶体管;
发光器件,连接到所述第一晶体管;以及
导电图案,设置在所述基底上,
其中,所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每个包括具有不同结晶状态的堆叠的第一半导体层和第二半导体层的有源图案,
其中,所述导电图案设置在所述第一晶体管的所述有源图案下方,且绝缘层设置在所述导电图案与所述第一晶体管的所述有源图案之间,
其中,所述导电图案与所述第一晶体管的栅电极一体地形成,或者所述导电图案与所述第一晶体管的栅电极形成存储电容器。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一半导体层设置在所述第二半导体层之下,并且具有比所述第二半导体层小的结晶颗粒。
3.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置包括在所述基底与所述第一半导体层之间的所述存储电容器,其中,所述存储电容器包括所述导电图案、与所述导电图案叠置的金属层以及置于所述导电图案与所述金属层之间的所述绝缘层,并且所述金属层与所述第一晶体管的所述栅电极一体地形成。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述导电图案是阻挡光入射到所述基底的底表面中的光阻挡层。
5.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括与所述导电图案一体地形成的辅助电源线以及沿所述第一方向延伸的初始化电源线。
6.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述第一晶体管包括:
所述栅电极,与所述金属层一体地形成;
有源图案,设置在所述栅电极上;以及
源电极和漏电极,均连接到所述有源图案的相应端部,并且所述显示装置还包括设置在所述有源图案上的反掺杂层。
7.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括第二存储电容器,所述第二存储电容器包括设置在所述有源图案上的下电极、与所述下电极叠置的上电极以及置于所述下电极与所述上电极之间的第二绝缘层。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述上电极与所述电源线一体地形成,并且所述下电极是反掺杂层。
9.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述第一晶体管包括:
所述栅电极,与所述导电图案一体地形成;
有源图案,设置在所述栅电极上;以及
源电极和漏电极,均连接到所述有源图案的相应的端部。
10.一种制造显示装置的方法,所述方法包括:
在基底上形成导电图案;
在所述导电图案之上形成层间绝缘层;
通过在所述层间绝缘层上沉积半导体层并且使用激光执行结晶化工艺,形成包括具有不同结晶状态的第一半导体层和第二半导体层的有源图案;
在所述有源图案之上形成第一绝缘层;
在所述第一绝缘层上形成栅极图案;
在所述栅极图案之上形成第二绝缘层;
在所述第二绝缘层之上形成数据图案;
在所述数据图案之上形成保护层;并且
形成设置在所述保护层上的发光器件,所述发光器件电连接到所述数据图案的一部分,
其中,所述导电图案与包括所述有源图案的第一晶体管的栅电极一体地形成,或者所述导电图案与包括所述有源图案的第一晶体管的栅电极形成存储电容器。
11.根据权利要求10所述的方法,其中,所述第一半导体层设置在所述第二半导体层之下,并且具有比所述第二半导体层小的结晶颗粒。
12.根据权利要求11所述的方法,所述方法还包括:
在所述导电图案之上形成绝缘层;并且
在所述绝缘层和与所述导电图案叠置的所述层间绝缘层之间形成金属层,其中,所述金属层与包括所述有源图案的所述第一晶体管的所述栅电极一体地形成。
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