[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

衬底，包括沟槽以及由所述沟槽分隔开的透射区；

绝缘缓冲层，形成在所述衬底之上并且覆盖所述沟槽的表面和所述透射区；以及

势垒调节层，形成在所述缓冲层之上，用于调节衬底表面的势垒，所述势垒调节层包括在处于所述沟槽中的所述缓冲层之上的第一部分以及在处于所述透射区之上的所述缓冲层之上的第二部分，所述第一部分由导电材料形成，所述第二部分由绝缘材料形成。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中：

所述势垒调节层的所述第二部分的材料和所述势垒调节层的所述第一部分的材料包含相同的金属元素。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中势垒调节层的所述第一部分包括：

用于功函数调节的功函数调节层；和

导电的缓冲层。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：

导电栅格，电连接到所述势垒调节层的所述第一部分，

其中，所述导电栅格适于被供应以电位。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中，所述衬底包括用于感测辐射的辐射感测单元，所述透射区与所述辐射感测单元对应。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置是背照式图像传感器，

其中所述辐射感测单元被形成为邻近所述衬底的正面，所述沟槽和所述透射区位于所述衬底的背面，所述绝缘缓冲层形成在所述衬底的背面上。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：

上部覆盖层，所述上部覆盖层至少包括抗反射材料层，所述上部覆盖层至少在所述势垒调节层之上。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中：

所述绝缘缓冲层被设置为对于辐射是透射的，

所述势垒调节层的所述第一部分被设置为对于辐射是非透射的，并且

所述势垒调节层的所述第二部分被设置为对于辐射是透射的。

9.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底，所述衬底包括沟槽以及由所述沟槽分隔开的透射区；

在所述衬底之上形成绝缘缓冲层，所述缓冲层覆盖所述沟槽的表面；以及

在所述缓冲层之上形成势垒调节层以调节衬底表面的势垒，所述势垒调节层包括在处于所述沟槽中的所述缓冲层之上的第一部分以及在处于所述透射区之上的所述缓冲层之上的第二部分，所述第一部分由导电材料形成，所述第二部分由绝缘材料形成。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，其中：

所述势垒调节层的所述第二部分的材料和所述势垒调节层的所述第一部分的材料包含相同的金属元素。