[发明专利]一种碳化硅肖特基二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种碳化硅肖特基二极管，其特征在于，包括复合肖特基接触结构，所述复合肖特基接触结构包括碳化硅外延层、肖特基金属层以及设置在所述碳化硅外延层与肖特基金属层之间的石墨烯层，所述石墨烯层用以阻挡所述碳化硅外延层的碳化硅原子和所述肖特基金属层的金属原子之间互相渗透，从而减小所述复合肖特基接触结构的漏电流。

2.根据权利要求1所述的碳化硅肖特基二极管，其特征在于：

所述石墨烯层的厚度为1个原子层的厚度或2个原子层的厚度。

3.根据权利要求1所述的碳化硅肖特基二极管，其特征在于：

所述石墨烯层的厚度为5至15埃米。

4.一种碳化硅肖特基二极管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

在碳化硅衬底层的第一表面形成碳化硅外延层；

对所述碳化硅外延层的终端区域注入离子；

进行激活退火，以使注入的离子替位到所述碳化硅外延层的终端区域的晶格点上形成终端；

在所述碳化硅外延层的有源区上形成一层石墨烯层；

在所述石墨烯层上溅射一层肖特基金属层；

进行肖特基接触退火，以形成肖特基接触；

其中，所述石墨烯层用于在进行肖特基接触退火时阻挡所述碳化硅外延层的碳化硅原子和所述肖特基金属层的金属原子之间互相渗透。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于：

所述石墨烯层的厚度为1个原子层的厚度或2个原子层的厚度。

6.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于：

所述石墨烯层的厚度为5至15埃米。

7.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，在形成所述石墨烯层之后和溅射所述肖特基金属层之前，还包括以下步骤：

在所述碳化硅衬底层的第二表面形成一层欧姆接触金属层；

进行欧姆接触退火，以在所述碳化硅衬底层和所述欧姆接触金属层之间形成欧姆接触。

8.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于：

所述肖特基金属层的厚度大于或等于100纳米。

9.根据权利要求7或8所述的制造方法，其特征在于，还包括以下步骤：

在所述肖特基金属层上再沉积一层金属层，以增加厚度。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，还包括以下步骤：

在所述终端区域上涂覆一层钝化保护层，以保护所述终端区域的终端。