[发明专利]掩模建模方法

权利要求书

1.一种掩模建模方法，包括：

接收一掩模布局，上述掩模布局包括一或多个非曼哈顿图案，其中上述非曼哈顿图案包括两个或两个以上曲线边缘，其中上述掩模布局包括多个像素，并且上述像素的一子集是位于上述曲线边缘上的多个边缘像素；

将一无交互作用的掩模模型应用于上述掩模布局；

将一边缘交互作用的模型应用于上述掩模布局的至少上述非曼哈顿图案，上述边缘交互作用的模型描述由彼此交互作用的上述曲线边缘的上述边缘像素的多个组合所引起的施加至上述像素的每一者的影响；

将一薄掩模模型应用于上述掩模布局；以及

基于上述无交互作用的掩模模型的应用、上述边缘交互作用的模型的应用以及上述薄掩模模型的应用来决定一近场。

2.如权利要求1所述的掩模建模方法，还包括：通过取上述曲线边缘的多个片段中的每一者的一法线向量来识别上述边缘像素。

3.如权利要求1所述的掩模建模方法，其中上述应用上述边缘交互作用的模型的步骤包括：

将上述掩模布局划分成多个次区；

计算用于上述次区的每一者的一边缘交互作用校正；以及

通过组合来自上述次区的每一者的上述边缘交互作用校正，来确定整个上述掩模布局的一总边缘交互作用校正。

4.如权利要求3所述的掩模建模方法，其中：

上述计算上述边缘交互作用校正的步骤包括计算多个核函数；以及

由于上述边缘像素中的两个或两个以上之间的相互作用，上述核函数的每一者描述在一受影响的像素的一校正场。

5.如权利要求4所述的掩模建模方法，其中上述计算上述核函数的步骤包括上述核函数随下面变化：上述受影响的像素的位置、上述边缘像素的每一者的一相应位置、以及与上述边缘像素的每一者相关联的一相应方位角。

6.如权利要求3所述的掩模建模方法，其中上述将上述掩模布局划分成上述次区的步骤包括：将一交互作用长度的一边限加入至上述次区的每一者。

7.如权利要求1所述的掩模建模方法，其中上述非曼哈顿图案具有除0度、90度、180度或270度以外的角度。

8.如权利要求1所述的掩模建模方法，其中彼此交互作用的上述曲线边缘彼此位于一预设相邻范围内。

9.如权利要求1所述的掩模建模方法，还包括：处理上述掩模布局，其中对被处理后的上述掩模布局执行上述无交互作用的掩模模型的应用、上述边缘交互作用的模型的应用以及上述薄掩模模型的应用。

10.如权利要求9所述的掩模建模方法，其中上述处理上述掩模布局的步骤包括对上述掩模布局执行栅格化或抗混迭滤波。

11.如权利要求1所述的掩模建模方法，其中上述薄掩模模型包含在上述掩模布局上的多个图案的二元建模。

12.如权利要求1所述的掩模建模方法，还包括：

将一光学模型应用于上述近场，以在一晶圆上得到一空间影像；以及

将一光阻模型应用于上述空间影像，以在上述晶圆上得到一最终光阻影像。