[发明专利]一种有效提升单层二维过渡金属硫族化合物产率、品质的方法

权利要求书

1.一种有效提升单层二维过渡金属硫族化合物产率、品质的方法，其特征在于，包括：

首先，将MO_x前驱物在气氛环境下退火处理，改变前驱物表面的缺陷种类和数量，退火处理的温度为500℃，退火处理30min；

然后，以处理后的MO_x为M源；X源为S粉或Se粉，利用CVD方法来制备单层的MX₂二维材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

(1)、将MO_x金属氧化物进行预处理，所述的预处理方法包括气氛环境下退火处理；

(2)、将切割好的单抛蓝宝石衬底洗净后干燥备用；

(3)、将步骤(1)中预处理得到的MO_3-X放置于石英管温区2的石英舟里，将步骤(2)所得的单抛蓝宝石衬底抛面朝下放在MO_3-x的上方；最后取用S粉或Se粉放置于石英管温区1的石英舟里；

(4)、系统密封好后，首先对整个系统进行抽气；

(5)、温区1和温区2的升温和冷却均在步骤(4)的压强下进行，样品制备过程中，温区1的温度由加热带控制：保证S粉或Se粉在100℃蒸发；温区2的控温程序为：先将温度从室温升至200℃保持10min，随后以25℃/min的升温速率升温至950℃并保持10min，最后程序结束，自然冷却至室温。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤(4)中抽气后，保持压强在15torr，环境气氛为Ar气氛，氩气流速100sccm。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，M源和X源用量的摩尔比小于1，保证X源过量。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，温区1和温区2之间的距离为10-20cm。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，反应的温度为950℃。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，MO_x为WO₃。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用以下设备来实现：所述设备包括石英管，石英管中设置有温区1和温区2，温区1的材料为S粉或者Se粉，放在石英舟里，整个设备可以通入流通气流并保持一定压强。