[发明专利]陶瓷CSP封装基板结构

说明书

技术领域

本发明涉及电子器件封装制造技术领域，特别是涉及一种陶瓷CSP封装基板结构。

背景技术

声表面波器件是一种利用声表面波对电信号进行模拟处理的器件。随着技术的发展，对声表面波器件的要求也越来越高，不仅要求性能可靠，而且对于声表面波器件的体积也要求更加小型化，因此，声表面波器件的封装也从开始的金属封装，到SMD封装，发展到现在的CSP封装(Chip Scale Package，芯片级封装)，大大拓宽了其应用领域。

目前国内使用的CSP封装基板在强调小型化设计时，忽略了封装基板的气密性问题，在声表面波器件的元器件焊接于CSP封装基板上时易出现虚焊假焊现象，降低产品良率。

发明内容

基于此，本发明提供一种陶瓷CSP封装基板结构，结构设计合理，保证焊接的气密性和稳定性，确保信号传输的稳定性。

为了实现本发明的目的，本发明采用如下技术方案：

一种陶瓷CSP封装基板结构，用于封装声表面波器件，其特征在于，所述陶瓷CSP封装基板结构包括第一线路层、贴设所述第一线路层的中间层、及贴设于所述中间层远离所述第一线路层的一面的第二线路层，所述第二线路层用于连接所述声表面波器件的芯片；所述第一线路层包括第一基板，所述第一基板上设有若干第一通孔；所述中间层包括第二基板，所述第二基板上设有若干第二通孔，各所述第二通孔分别对应且连通各所述第一通孔；所述第二线路层包括与所述第二基板相对应的第三基板、设置于所述第三基板远离所述中间层的一面上的若干信号盘、及围设所述信号盘的屏蔽片；所述屏蔽片用于连接所述芯片的接地信号位；所述第三基板上设有若干第三通孔，所述第三通孔与所述第二通孔呈错位设置；所述信号盘采用三极性设置，包括一个输入信号盘及两个输出信号盘；当选择非差分信号输出时，所述输入信号盘用于连接外接输入信号，一所述输出信号盘用于连接所述芯片的输出信号位，另一所述输出信号盘用于连接所述芯片的接地信号位；当选择差分信号输出时，所述输入信号盘用于连接所述外接输入信号，二所述输出信号盘均用于连接所述芯片的输出信号位。

上述陶瓷CSP封装基板结构，第一通孔、第二通孔与第三通孔呈错位设置，在电子元器件焊接时可防止焊接漏锡，保证焊接的气密性和稳定性；同时，信号盘采用三极性设置，能适用于差分信号传输与非差分信号传输，并在信号盘的周围设置大片的屏蔽片，增强抗干扰能力，确保信号传输的稳定性。

在其中一个实施例中，所述第一线路层还包括设置于所述第一基板远离所述中间层的一面上的若干焊接盘、及设置于所述第一基板连接所述中间层的一面上的若干第一中转盘；各所述第一中转盘与各所述焊接盘一一对应；所述第一通孔分别贯穿相互对应的所述焊接盘与所述第一中转盘。

在其中一个实施例中，所述中间层还包括分别设置于所述第二基板相对两面的若干第二中转盘与若干第三中转盘；所述第三中转盘与所述第二中转盘一一对应；所述第二通孔分别贯穿相互对应的所述第二中转盘与所述第三中转盘；所述第二中转盘与所述第一中转盘一一对应。

在其中一个实施例中，各述第三通孔分别贯穿相互对应的所述第四中转盘各所述信号盘、相互对应的所述第四中转盘与所述屏蔽片；所述第四中转盘与所述第三中转盘一一对应。

在其中一个实施例中，所述第一中转盘紧密贴设所述第二中转盘，所述第三中转盘紧密贴设所述第四中转盘；所述第二通孔的一端抵接所述第四中转盘，所述第三通孔的一端抵接所述第三中转盘。

在其中一个实施例中，所述第一通孔、所述第二通孔及所述第三通孔的孔壁均镀有第二导电层，电气连通所述第一线路层、所述中间层与所述第二线路层。

在其中一个实施例中，所述焊接盘、所述第三中转盘的裸露部分、所述第四中转盘的裸露部分、所述信号盘及所述屏蔽片均镀有所述第二导电层。

在其中一个实施例中，所述第一线路层、所述中间层与所述第二线路层的厚度范围均为0.08mm-0.12mm；所述第一通孔、所述第二通孔与所述第三通孔的孔径范围均为1.26mm-1.28mm。

在其中一个实施例中，所述第一线路层、所述中间层与所述第二线路层的厚度均为0.1mm；所述第一通孔、所述第二通孔与所述第三通孔的孔径均为1.27mm。

在其中一个实施例中，所述第一线路层与所述中间层、所述第二线路层采用HTCC技术集成一个整体结构。

附图说明

图1为本发明一较佳实施方式的陶瓷CSP封装基板结构的立体示意图；