[发明专利]一种基于双频超材料的去耦合阵列天线

权利要求书

1.一种基于双频超材料的去耦合阵列天线，包括：公共接地板(1)、介质基板(8)、左侧矩形开口辐射贴片(2)、右侧矩形开口辐射贴片(3)、左侧同轴馈电端口(4)、右侧同轴馈电端口(5)、左侧双频超材料结构(6)和右侧双频超材料结构(7)；其特征在于，所述公共接地板(1)呈矩形，左侧同轴馈电端口(4)和右侧同轴馈电端口(5)对称布置在公共接地板(1)上；所述左侧矩形开口辐射贴片(2)和右侧矩形开口辐射贴片(3)均呈正方形，其一边上设有矩形缺口；左侧矩形开口辐射贴片(2)和右侧矩形开口辐射贴片(3)对称布置，并分别与左侧同轴馈电端口(4)和右侧同轴馈电端口(5)配合；左侧矩形开口辐射贴片(2)和右侧矩形开口辐射贴片(3)与公共接地板(1)之间形成的空间用介质基板(8)填充；左侧双频超材料结构(6)和右侧双频超材料结构(7)对称布置在介质基板(8)上，且位于左侧矩形开口辐射贴片(2)和右侧矩形开口辐射贴片(3)之间。

2.根据权利要求1所述的一种基于双频超材料的去耦合阵列天线，其特征在于，所述的左侧矩形开口辐射贴片(2)和右侧矩形开口辐射贴片(3)以及所述的左侧双频超材料结构(6)和右侧双频超材料结构(7)均采用覆铜结构；左侧矩形开口辐射贴片(2)和右侧矩形开口辐射贴片(3)在水平方向上相邻边之间的距离为12mm。

3.根据权利要求1所述的一种基于双频超材料的去耦合阵列天线，其特征在于，所述的介质基板(8)所采用的材料为介电常数为4.4的FR4；介质基板(8)呈矩形，且与双频超材料结构垂直的一边到双频超材料结构端点的距离为2mm，另一边与矩形开口辐射贴片外侧相距2mm。

4.根据权利要求1所述的一种基于双频超材料的去耦合阵列天线，其特征在于，左侧双频超材料结构(6)和右侧双频超材料结构(7)分别由8个超材料单元组成；所述的超材料单元包括：开口谐振环(10)、顺时针螺旋结构(9)和逆时针螺旋结构(11)；所述的开口谐振环(10)呈矩形，并设有开口；顺时针螺旋结构(9)和逆时针螺旋结构(11)布置在开口谐振环(10)内部，且顺时针螺旋结构(9)和逆时针螺旋结构(11)的起始点分别与开口谐振环(10)与开口相对的边相连；所述的8个超材料单元呈直线布置，且8个超材料单元的开口谐振环(10)的开口均朝向中心。