[发明专利]一种X射线探测器件及其制作方法

权利要求书

1.一种X射线探测器件，其特征在于，包括：

衬底；

底部栅电极，其形成在所述衬底上；

栅绝缘层，形成在底部栅电极上；

源电极和漏电极，形成在栅绝缘层上；

光电半导体层，其形成在所述源电极和漏电极上；

顶部电极，其形成在所述光电半导体层上，且所述顶部电极与光电半导体层的接触为金属欧姆接触或金属肖特基接触或PN结接触。

2.根据权利要求1所述的X射线探测器件，其特征在于：

所述栅绝缘层覆盖所述底部栅电极和衬底。

3.根据权利要求1所述的X射线探测器件，其特征在于：

所述源电极和漏电极与所述底部栅电极之间具有一交叠区。

4.根据权利要求1所述的X射线探测器件，其特征在于：

所述光电半导体层形成在所述源电极和漏电极之间且覆盖全部源电极和漏电极。

5.根据权利要求1所述的X射线探测器件，其特征在于：

所述顶部电极覆盖整个光电半导体层。

6.根据权利要求1所述的X射线探测器件，其特征在于：

当所述顶部电极与光电半导体层的接触为金属欧姆或肖特基接触时，所述顶部电极为金、银、铜、铝、钼、镍、氧化铟锡、氧化铟锌、透明导电塑料、导电化合物中的任意一种或多种；

当所述顶部电极与光电半导体层的接触为PN结接触时，所述顶部电极为重掺杂半导体材料。

7.根据权利要求1所述的X射线探测器件，其特征在于：

所述光电半导体层的材料为非晶硒，氧化铅，碘化汞，钙钛矿结构半导体光电材料中的任意一种或多种。

8.一种X射线探测器件的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上制备底部栅电极；

制备覆盖所述衬底和底部栅电极的栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上制备源电极和漏电极，所述源电极、漏电极与所述底部栅电极之间具有交叠区；

在源电极和漏电极上制备光电半导体层，所述光电半导体层形成在所述源电极和漏电极之间且覆盖全部源电极和漏电极；

制备覆盖整个光电半导体层的顶部电极，所述顶部电极为导体材料或重掺杂半导体材料。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在衬底上制备底部栅电极具体为：

采用溅射镀膜法在衬底的表面生长一层金属薄膜，并将所述金属薄膜光刻成预定图形，形成底部栅电极。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述制备覆盖所述衬底和底部栅电极的栅绝缘层具体为：

利用薄膜沉积工艺，在底部栅电极的上表面沉积形成覆盖所述衬底和底部栅电极的栅绝缘层。

11.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在所述栅绝缘层上制备源电极和漏电极具体为：

采用溅射镀膜法在栅绝缘层的上表面生长一层金属薄膜，并将所述金属薄膜光刻成预定图形，形成源电极和漏电极。

12.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在源电极和漏电极上制备光电半导体层具体为：

采用薄膜沉积工艺在源电极和漏电极表面、以及源电极和漏电极之间沉积形成光电半导体层。

13.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述制备覆盖整个光电半导体层的顶部电极具体为：采用溅射镀膜法在所述光电半导体层的表面生长一层导体材料形成顶部电极；或采用离子注入法生长重掺杂半导体材料形成顶部电极。

14.根据权利要求8或13所述的X射线探测器件的制作方法，其特征在于：

所述导体材料为金、银、铜、铝、钼、镍、氧化铟锡、氧化铟锌、透明导电塑料、导电化合物中的任意一种或多种。

15.根据权利要求8或12所述的X射线探测器件的制作方法，其特征在于：

所述光电半导体层的材料为非晶硒，氧化铅，碘化汞，钙钛矿结构半导体光电材料中的任意一种或多种。