[发明专利]一种液晶面板在审
| 申请号: | 201710977761.6 | 申请日: | 2017-10-17 | 
| 公开(公告)号: | CN107741665A | 公开(公告)日: | 2018-02-27 | 
| 发明(设计)人: | 吕启标 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 | 
| 主分类号: | G02F1/1335 | 分类号: | G02F1/1335;G02F1/1362 | 
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)44300 | 代理人: | 黄威 | 
| 地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 液晶面板 | ||
技术领域
本发明涉及显示器面板等领域,具体为一种液晶面板。
背景技术
TFT-LCD的制作,一般是先分别单独制造阵列基板(Array)和彩膜基板(Color Filter,CF),然后再将阵列基板和彩膜基板进行对位成盒(Cell)。
目前广泛应用的VA型(Vertical Alignment)液晶显示,传统制程为阵列基板会制作栅极层、阻挡层、源极层、电极沟道和钝化层,彩膜基板会制作黑矩阵、滤光片和间隔物层。在对位成盒之前,由于液晶配向的需要,要分别在Array基板和CF基板表面涂布PI液(Polyimide)并形成定向膜。
目前PI涂布的方式一般为注入式(inject),该涂布方式对PI液涂布定位精度控制比较难,加之目前面板设计的边框越来越窄,对PI涂布定位精度的要求越来越高,因此传统的彩膜基板制作都会在面板外围设计一圈PS层,以作为PI液涂布时的挡墙来控制面板外围PI液的位置精度。
随着液晶面板制作工艺的提高,为提高生产效率和提升面板显示质量,有别于传统的制作流程,新工艺制程为阵列基板会制作栅极层、阻挡层、源极层、电极沟道、钝化层、黑矩阵、滤光片、间隔物层、聚苯乙烯(PS)挡墙等,彩膜基板会制作黑矩阵,新工艺制程下彩膜基板不再制作聚苯乙烯挡墙,也就是说彩膜基板外围不再有聚苯乙烯阻挡层控制PI涂覆精度,将会影响面板后续制作流程,更严重的会影响面板正常显示。因此需寻求其他方法来控制彩膜基板的PI液涂布精度。
发明内容
本发明的目的是:提供一种液晶面板,以解决现有工艺加工的液晶面板中的彩膜基板因聚苯乙烯挡墙缺失而导致的PI涂布精度不可控的问题。
实现上述目的的技术方案是:一种液晶面板,包括阵列基板,其一侧面设有显示区和非显示区,所述非显示区包括至少一金属导线;彩膜基板,与所述阵列基板相对设置;黑矩阵层,贴附于所述彩膜基板朝向所述阵列基板一侧的表面;沟槽,下凹于所述黑矩阵层朝向所述阵列基板一侧的表面,或贯穿于所述黑矩阵层;每一沟槽与一金属导线相对设置;以及彩膜电极,贴附于所述黑矩阵层朝向所述阵列基板一侧的表面。
在本发明一较佳的实施例中,所述沟槽设有两条,两条所述沟槽所对应的所述金属导线相邻。
在本发明一较佳的实施例中,至少一条沟槽所对应的金属导线的宽度为所有金属导线中最宽的。
在本发明一较佳的实施例中,所述沟槽在所述阵列基板上的投影范围,小于所述金属导线在所述阵列基板上的投影范围。
在本发明一较佳的实施例中,所述沟槽的横截面的形状为梯形;和/或,所述非显示区的横截面的形状为倒置的梯形。
在本发明一较佳的实施例中,所述非显示区包括栅极层,贴附于所述阵列基板一侧的表面;栅绝缘层,贴附于所述栅极层表面;阻挡层,贴附于所述栅绝缘层表面;以及源极层,贴附于所述阻挡层表面。
在本发明一较佳的实施例中,所述沟槽的宽度与所述源极层的宽度比的范围为60~90%之间。
在本发明一较佳的实施例中,所述的液晶面板还包括钝化层,包覆在所述源极层、所述栅绝缘层、所述阻挡层、所述源极层以及所述阵列基板的表面。
在本发明一较佳的实施例中,所述阻挡层包括非晶硅层,贴附于所述栅绝缘层表面;以及“N”型非晶硅层,贴附于所述非晶硅层表面。
在本发明一较佳的实施例中,所述金属导线包括栅极导线,设于所述阵列基板的栅极层中;以及源极导线,设于所述阵列基板的源极层中。
本发明的优点是:本发明的液晶面板,根据面板新工艺制程下的彩膜基板外围的非显示区设计的特点,在不影响面板显示质量的前提下,重新巧妙地在黑矩阵层上设计沟槽来控制PI液涂布精度,避免聚苯乙烯挡墙缺失后因聚苯乙烯材料的涂布位置精度不可控带来的一系列问题,本液晶面板简单,而且节省材料,节省工艺流程,同时有效的提高了面板的质量以及加工效率。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明作进一步解释。
图1是本发明现有技术中的彩膜基板以及阵列基板结构示意图。
图2是本发明实施例的彩膜基板以及阵列基板结构示意图一。
图3是本发明实施例的彩膜基板以及阵列基板结构示意图二。
其中,
1阵列基板;2彩膜基板;
11阵列基板本体; 12栅极层;
13栅绝缘层; 14非晶硅层;
15“N”型非晶硅层;16钝化层;
17显示区; 18非显示区;
19源极层;
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