[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，该半导体装置包括：

第一源种子层；

第二源种子层，该第二源种子层被设置在所述第一源种子层上方与所述第一源种子层间隔开的位置处，并且源区域插置在所述第一源种子层与所述第二源种子层之间；

单元插塞，所述单元插塞被配置为穿透所述第二源种子层并延伸到所述源区域中，所述单元插塞被设置在与所述第一源种子层间隔开的位置处；以及

层间源层，该层间源层被配置为填充所述源区域，

其中，所述层间源层在各个所述单元插塞的底表面与所述第一源种子层之间延伸。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，该半导体装置还包括：

至少一个虚拟插塞，该至少一个虚拟插塞被配置为穿透所述第二源种子层并经由所述源区域延伸到所述第一源种子层中。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述虚拟插塞朝着所述第一源种子层延伸并穿透所述第一源种子层的上部，并且所述虚拟插塞的长度大于各个所述单元插塞的长度。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，各个所述单元插塞包括：

第一沟道层，该第一沟道层被配置为穿透所述第二源种子层并延伸到所述源区域中；以及

多层图案，该多层图案被配置为包围所述第一沟道层的穿透所述第二源种子层的部分的外表面。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述多层图案包括：

隧道绝缘层，该隧道绝缘层被配置为包围各个所述沟道层的外表面；

数据存储层，该数据存储层被配置为包围所述隧道绝缘层；以及

阻挡绝缘层，该阻挡绝缘层被配置为包围所述数据存储层。

6.根据权利要求2所述的半导体装置，该半导体装置还包括：

交替地层叠在所述第二源种子层上的层间绝缘层和导电图案。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述单元插塞和所述虚拟插塞延伸以穿透所述层间绝缘层和所述导电图案。

8.一种半导体装置，该半导体装置包括：

第一源种子层；

第二源种子层，该第二源种子层被设置在所述第一源种子层上方与所述第一源种子层间隔开的位置处，并且源区域插置在所述第一源种子层与所述第二源种子层之间；

单元插塞，所述单元插塞被配置为穿透所述第二源种子层并延伸到所述源区域中，所述单元插塞被设置在与所述第一源种子层间隔开的位置处；

层间源层，该层间源层被配置为填充所述源区域；以及

至少一个虚拟插塞，该至少一个虚拟插塞被配置为穿透所述第二源种子层并经由所述源区域延伸到所述第一源种子层中，

其中，各个所述单元插塞包括：

第一沟道层，该第一沟道层被配置为穿透所述第二源种子层并延伸到所述源区域中；以及

多层图案，该多层图案被配置为包围所述第一沟道层的穿透所述第二源种子层的部分的外表面，并且

其中，所述虚拟插塞包括：

第二沟道层，该第二沟道层被配置为穿透所述第二源种子层并经由所述源区域延伸到所述第一源种子层中；

第一多层图案，该第一多层图案被配置为包围所述第二沟道层的穿透所述第二源种子层的第一部分的外表面；以及

第二多层图案，该第二多层图案被配置为包围所述第二沟道层的穿透所述第一源种子层的上部的第二部分的外表面。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述第一多层图案与所述第二多层图案通过所述层间源层彼此分离。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述多层图案与所述第一多层图案形成在同一层中。

11.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述多层图案与所述第一多层图案和所述第二多层图案是由相同的材料形成的。