[发明专利]用物理气相沉积法制备无机锡基钙钛矿太阳能电池的方法

权利要求书

1.用物理气相沉积法制备无机锡基钙钛矿太阳能电池的方法，其特征在于，所述无机锡基钙钛矿太阳能电池依次由柔性聚酰亚胺导电基体、空穴传输层CuI、锡基钙钛矿CsSnI₃层、电子传输层ZnO、超薄金属基透明导电薄膜组成；制备方法包括如下步骤：

1)清洗基底；采用柔性聚酰亚胺导电基体为基底，依次用丙酮、乙醇、去离子水在超声波清洗仪中分别清洗15min以上，然后用氮气吹干；为了便于测量薄膜厚度，在吹干后的柔性聚酰亚胺导电基体上用记号笔做标记；

2)在经步骤1)处理后的柔性聚酰亚胺导电基体上采用射频磁控溅射法制备空穴传输层CuI；

3)在经步骤2)处理后的柔性聚酰亚胺导电基体上采用蒸镀法制备锡基钙钛矿CsSnI₃层；

4)在经步骤3)处理后的柔性聚酰亚胺导电基体上采用射频磁控溅射法制备电子传输层ZnO；

5)在经步骤4)处理后的柔性聚酰亚胺导电基体上采用连续磁控溅射法制备超薄金属基透明导电薄膜，即制成无机锡基钙钛矿太阳能电池。

2.根据权利要求1所述的用物理气相沉积法制备无机锡基钙钛矿太阳能电池的方法，其特征在于，所述步骤3)中，将柔性聚酰亚胺导电基体进行固定，记号笔做标记的一面为沉积薄膜面，此面朝下与蒸发源相对；基底放置在蒸发源的正上方，与蒸发源的垂直距离为13～18cm；蒸发源分别为CsI、SnI₂，蒸镀的顺序为：SnI₂、CsI。

3.根据权利要求1所述的用物理气相沉积法制备无机锡基钙钛矿太阳能电池的方法，其特征在于，所述步骤2)、4)、5)中，将柔性聚酰亚胺导电基体放置于磁控溅射镀膜机的真空腔内进行镀膜，镀膜前抽真空达到本底真空度；随后充入高纯氩气，工作压强0.3～0.5Pa。

4.根据权利要求1所述的用物理气相沉积法制备无机锡基钙钛矿太阳能电池的方法，其特征在于，所述柔性聚酰亚胺导电基体为无色透明的薄膜，厚度为25～35μm；薄膜的紫外截止波长为280～330nm，在450nm处的光透过率超过90％，玻璃化转变温度在250～300℃之间。

5.根据权利要求1所述的用物理气相沉积法制备无机锡基钙钛矿太阳能电池的方法，其特征在于，所述超薄金属基透明导电薄膜为AZO/Ag/AZO薄膜，薄膜总厚度不超过100nm。