[发明专利]跳孔结构

说明书

本发明涉及跳孔结构，其揭示关于半导体结构并且，尤其，关于跳孔结构及制造的方法。该结构包含：具有一层或多层线路结构的第一线路层；具有一层或多层线路结构的第二线路层，位在该第一线路层上方；具有金属化的跳孔，该金属化穿越通过包含该第二线路层的较高的线路阶层并且与该第一线路层的该一层或多层线路结构接触；以及包括保护材料及接触在该较高的线路阶层处的该一层或多层线路结构的至少一层的通孔结构。

技术领域

本发明揭示关于半导体结构并且，尤其，关于跳孔结构及制造的方法。

背景技术

通孔为在穿越一层或多层的邻接层的平面的实体电子电路中于线路结构(例如，线路层)之间的电性连接。例如，在集成电路设计中，通孔是在允许传导连接于不同的线路层之间的绝缘氧化层中的小的开孔。连接金属的最低层至扩散或复晶的通孔通常称为“接触(contact)”。

在通孔技术中，跳孔可以是穿过很多绝缘层而形成，例如，旁通一层或多层的位在该绝缘层内的线路结构，以与较低的线路结构连接。该方法提供改良的电阻特性、最小化用于较低线路结构的电容(例如，在M0层处)，以及提供面积效率于该芯片制造流程中。

使用跳孔具有很多挑战。例如，在该制造流程中，该跳孔将落在较低阶层(例如，M0层)中的该线路结构上，而该一般的通孔将落在较高的阶层(例如，M1或以上的阶层)中的该线路结构上。然而，由于该跳孔蚀刻制程，在该较高的阶层中的该线路结构及通孔内联线结构之间的接口处将会造成损坏。意即，由于该不同的蚀刻深度，因此，该跳孔蚀刻制程对于该较上方的线路结构(例如，铜材料)将造成表面损坏。这种损坏造成较高的电阻率，反过来，该较高的电阻率降低装置效能。

发明内容

在本发明揭示的态样中，结构包括：具有一层或多层线路结构的第一线路层；具有一层或多层线路结构的第二线路层，位在该第一线路层上方；具有金属化的跳孔，该金属化穿越通过包含该第二线路层的较高的线路阶层并且与该第一线路层的该一层或多层线路结构接触；以及包括保护材料及接触在该较高的线路阶层处的该一层或多层线路结构的至少一层的通孔结构。

在本发明揭示的态样中，方法包括：形成通孔，以曝露出较高的线路层的一层或多层线路结构；形成保护材料于该通孔中，以屏蔽该较高的线路层的该曝露的一层或多层线路结构；以及形成穿越通过该较高的线路层及曝露较低的线路层的一层或多层线路结构的跳孔，而该保护材料保护该较高的线路层的该曝露的一层或多层线路结构。

在本发明揭示的态样中，方法，包括：形成具有一层或多层线路结构的线路层于较低的线路层中；形成具有一层或多层线路结构的线路层于较高的线路层中，位在该较低的线路层上方；形成通孔，以曝露该较高的线路层的该一层或多层线路结构及穿越通过该较高的线路层并且落在该较低的线路层上方的通孔；形成保护材料于该通孔中，以屏蔽该较高的线路层的该曝露的一层或多层线路结构；延伸落在该较低的线路层的该通孔至形成曝露该较低的线路层的该一层或多层线路结构的跳孔，而该保护材料保护该较高的线路层的该曝露的一层或多层线路结构；以及以传导材料填覆至少该跳孔，以接触该较低的线路层的该一层或多层线路结构及与该较高的线路层的该一层或多层线路结构以电性连接。

附图说明

本发明揭示描述于下面的该详细说明中，通过本发明揭示的例示性的实施例的非限定的例子而参考该提到的多个图式。

图1依据本发明揭示的态样显示结构及相对应的制造流程。

图2依据本发明揭示的态样，除了其它特征之外，显示形成于沟槽中的保护层(例如，犠牲插塞)及相对应的制造流程。

图3依据本发明揭示的态样，除了其它特征之外，显示跳孔结构及相对应的制程流程。

图4依据本发明揭示的态样，除了其它特征之外，显示金属化于该跳孔结构与一般通孔结构中及相对应的制造流程。