[发明专利]激光辅助接合装置及半导体组件的制造方法

权利要求书

1.一种激光辅助接合装置，用以使一半导体芯片和一线路板电性连接，所述半导体芯片具有多个焊料凸块，所述线路板具有多个接垫以及多个贯穿所述电路板的通孔，其特征在于，所述激光辅助接合装置包括:

一吸附承载组件，其包括一用以承载所述线路板的承载板以及

一抽气单元，所述承载板具有分别对应于多个所述通孔的多个吸孔，且所述抽气单元流体连通多个所述吸孔；

一光能加热单元，其设置于所述承载板的上方；以及

一压合件，其设置于所述承载板与所述光能加热单元之间；

其中，所述半导体芯片与所述线路板被夹设在所述压合件与所述承载板之间，且所述抽气单元通过多个所述吸孔与多个所述通孔的相互配合，以进行抽气并使所述压合件施压于所述半导体芯片；

其中，所述光能加热单元所提供的一激光能穿透所述半导体芯片，以对多个所述焊料凸块加热。

2.根据权利要求1所述的激光辅助接合装置，其特征在于，所述吸附承载组件还进一步包括一定位机构，所述定位机构设置于所述承载板上，以使所述线路板的多个所述通孔分别对应于多个所述吸孔。

3.根据权利要求1所述的激光辅助接合装置，其特征在于，所述激光辅助接合装置还进一步包括：一预热单元，所述预热单元与所述光能加热单元设置在同一封装生产线。

4.根据权利要求3所述的激光辅助接合装置，其特征在于，所述预热单元还进一步包括一载台以及一设置于所述载台上方的加热器，所述载台承载所述线路板与所述半导体芯片，且所述线路板与所述半导体芯片预先通过所述加热器而加热。

5.根据权利要求4所述的激光辅助接合装置，其特征在于，所述激光辅助接合装置还进一步包括：一对位设置单元，所述对位设置单元和所述预热单元设置在同一所述封装生产线，用以使所述半导体芯片的多个所述焊料凸块分别对应所述线路板的多个所述接垫设置。

6.如权利要求1所述的激光辅助接合装置，其特征在于，所述压合件的厚度是介于100mm至300mm之间，且所述压合件的材料对所述激光的透光率至少大于80％。

7.一种半导体组件的制造方法，其特征在于，所述半导体组件的制造方法包括：

提供一线路板，所述线路板具有多个接垫以及多个通孔；

设置一半导体芯片于所述线路板上，以使所述半导体芯片的多个焊料凸块分别对应多个所述接垫，其中，多个所述通孔未被所述半导体芯片所遮盖；

通过多个所述通孔吸附一压合件于所述半导体芯片上，以使所述压合件对所述半导体芯片施压；以及

利用穿过所述压合件的一激光对相互对应的所述焊料凸块与所述接垫加热而使之相互焊接，以使所述半导体芯片与所述线路板相互电性连接而形成一半导体组件。

8.根据权利要求7所述的半导体组件的制造方法，其特征在于，所述压合件是通过一吸附承载组件而吸附于所述半导体芯片上，其中，所述吸附承载组件包括一用以承载所述线路板的承载板以及一抽气单元，所述承载板具有分别对应于多个所述通孔的多个吸孔，且所述抽气单元流体连通多个所述吸孔，以对所述压合件提供一朝向所述半导体芯片的吸力。

9.根据权利要求8所述的半导体组件的制造方法，其特征在于，多个所述吸孔的一部分裸露于所述承载板的表面，且围绕所述线路板。

10.根据权利要求7所述的半导体组件的制造方法，其特征在于，在通过多个所述通孔吸附所述压合件于所述半导体芯片上的步骤之前，还进一步包括：执行一预热处理，以局部连接相互对应的所述焊料凸块与所述接垫。

11.根据权利要求10所述的半导体组件的制造方法，其特征在于，在执行所述预热处理时，所述预热处理的加热温度低于所述焊料凸块与所述接垫的一焊接温度。