[发明专利]悬浮栅光电晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种光电晶体管，其特征在于，包括：衬底、光吸收层、介电层、导电层、源电极和漏电极；

所述光吸收层设置在所述衬底上，所述介电层设置在所述光吸收层上，所述导电层设置在所述介电层上，所述源电极和所述漏电极分别设置在所述导电层上表面的两侧；

其中，所述导电层由载流子迁移率不小于预设数值的材料制成；

还包括：介电修饰层，所述介电修饰层设置在所述导电层和所述介电层之间；所述介电层为高分子材料聚对二氯甲苯；

所述导电层的材料为小分子半导体材料NDI3HU-DTYM2，所述NDI3HU-DTYM2的载流子迁移率不小于预设数值，所述NDI3HU-DTYM2混合在三氯甲烷溶剂中，混合溶液采用溶液旋涂法旋涂在介电修饰层上，在介电修饰层上形成薄膜；

所述预设数值为0.8cm²V^-1s^-1。

2.根据权利要求1所述的光电晶体管，其特征在于，还包括：绝缘层，所述绝缘层设置在所述衬底与所述光吸收层之间。

3.根据权利要求1所述的光电晶体管，其特征在于，所述光吸收层为：由电子给体材料和电子受体材料混合形成的有机体异质结。

4.根据权利要求3所述的光电晶体管，其特征在于，所述电子给体材料和所述电子受体材料均为有机小分子半导体材料或聚合物半导体材料。

5.根据权利要求4所述的光电晶体管，其特征在于，所述电子给体材料为聚合物半导体材料P3HT，所述电子受体材料为小分子半导体材料PC₆₁BM。

6.根据权利要求2-5中任一项所述的光电晶体管，其特征在于，所述绝缘层的厚度为295nm～305nm，所述光吸收层的厚度为45nm～55nm，所述介电层的厚度为45nm～55nm，所述源电极和所述漏电极的厚度均为25nm～35nm。

7.一种如权利要求1-6任一项所述的光电晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

S1，在衬底上制备光吸收层；

S2，在所述光吸收层上制备介电层；

S3，在所述介电层上制备载流子迁移率不小于预设数值的导电层；

S4，在所述导电层上表面的两侧制备源电极和漏电极；

还包括：在光吸收层上沉积介电层之后，在介电层上形成介电修饰层，实现介电层和导电层之间的光滑连接。