[发明专利]静态随机存取存储器单元阵列及其形成方法

说明书

本发明公开一种静态随机存取存储器单元阵列及其形成方法。该形成静态随机存取存储器单元阵列的方法包含有下述步骤。首先，图案化而形成多个鳍状结构于一基底上，其中此些鳍状结构包含多个主动鳍状结构以及多个牺牲鳍状结构，各通道晶体管(PG FinFET)与对应的一降压晶体管(PD FinFET)至少共享一主动鳍状结构，在一存储器单元中二相邻的升压晶体管(PU FinFET)跨设的二主动鳍状结构之间设置有至少一牺牲鳍状结构。接着，移除此些牺牲鳍状结构的至少一部分。

技术领域

本发明涉及一种静态随机存取存储器单元阵列及其形成方法，且特别是涉及一种应用牺牲鳍状结构的静态随机存取存储器单元阵列及其形成方法。

背景技术

随机存取存储器(RAM：Random Access Memory)使用时可以读取数据也可以写入数据，当电源关闭以后数据立刻消失。由于随机存取存储器的数据更改容易，所以一般应用在个人电脑做为暂时存储数据的存储器。随机存取存储器又可以细分为「动态(Dynamic)」与「静态(Static)」两种。

「动态随机存取存储器(DRAM：Dynamic RAM)」是以1个晶体管加上1个电容来存储1个位(1bit)的数据，而且使用时必须要周期性地补充电源来保持存储的内容，故称为「动态(Dynamic)」。动态随机存取存储器构造较简单(1个晶体管加上1个电容来存储1个位的数据)使得存取速度较慢(电容充电放电需要较长的时间)，但是成本也较低，因此一般都制作成对容量要求较高但是对速度要求较低的存储器，例如：个人电脑主机板上通常使用的主存储器(main memory)。

「静态随机存取存储器(SRAM：Static RAM)」是以6个晶体管来存储1个位(1bit)的数据，而且使用时不需要周期性地补充电源来保持存储的内容，故称为「静态(Static)」。静态随机存取存储器的构造较复杂(6个晶体管存储1个位的数据)使得存取速度较快，但是成本也较高，因此一般都制作成对容量要求较低但是对速度要求较高的存储器，例如：个人电脑的中央处理器(CPU)内建256KB或512KB的快取存储器(Cache Memory)。由于中央处理器的速度决定了电脑运算数据及处理信息的快慢，主存储器的容量则决定了电脑可以存储信息的多寡，因此快取存储器是用来存储一些经常使用到的信息，把这些经常用到的信息放在速度较快的快取存储器中可以使中央处理器很快的取得这些信息，而不需要再到速度较慢的主存储器中去寻找，如此一来可使中央处理器处理的速度加快。

发明内容

本发明提出一种静态随机存取存储器单元阵列及其形成方法，能促进制作工艺可靠度，并提升静态随机存取存储器的性能。

本发明提供一种形成静态随机存取存储器(static random-access memory,SRAM)单元阵列的方法，包含有下述步骤。首先，图案化而形成多个鳍状结构于一基底上，其中此些鳍状结构包含多个主动鳍状结构以及多个牺牲鳍状结构，各通道晶体管(PGFinFET)与对应的一降压晶体管(PD FinFET)至少共享一主动鳍状结构，在一存储器单元中二相邻的升压晶体管(PU FinFET)跨设的二主动鳍状结构之间设置有至少一牺牲鳍状结构。接着，移除此些牺牲鳍状结构的至少一部分。

本发明提供一种静态随机存取存储器(static random-access memory,SRAM)单元阵列，包含有多个鳍状结构位于一基底上。此些鳍状结构包含多个主动鳍状结构以及矮于此些主动鳍状结构的多个剩下的牺牲鳍状结构，其中各通道晶体管(PG FinFET)与对应的一降压晶体管(PD FinFET)至少共享一主动鳍状结构，在一存储器单元中二相邻的升压晶体管(PU FinFET)跨设的二主动鳍状结构之间设置有至少一剩下的牺牲鳍状结构。