[发明专利]MTP器件及其制造方法

权利要求书

1.一种MTP器件，其特征在于，包括：由第一NMOS管组成的选择管，由第二NMOS管组成的存储管，由第三NMOS管组成的字线管；

所述第一NMOS管、所述第二NMOS管和所述第三NMOS管都形成于P阱中，所述第一NMOS管的多晶硅栅连接栅选择信号，所述第二NMOS管的多晶硅栅为多晶硅浮栅，所述第三NMOS的多晶硅栅连接字线；

所述多晶硅浮栅位于所述第一NMOS管的多晶硅栅和所述第三NMOS的多晶硅栅的中间，所述第二NMOS管位于所述第一NMOS管和所述第三NMOS管的中间；

所述多晶硅浮栅沿所述第二NMOS管的沟道的宽度方向延伸到所述第二NMOS管的两侧，所述多晶硅浮栅的第一延伸端在所述第二NMOS管的第一侧形成编程耦合结构，所述多晶硅浮栅的第二延伸端在所述第二NMOS管的第二侧形成擦除结构；

所述擦除结构形成于第一N阱中，所述多晶硅浮栅的第二延伸端跨越由所述第一N阱组成的第一有源区；

所述擦除结构还包括第一P+区和第一N+区，所述第一P+区的注入区和所述第一N+区的注入区在沿和所述多晶硅浮栅的第二延伸端垂直的方向上跨越所述多晶硅浮栅；

所述第一P+区的注入区和所述第一N+区的注入区在沿和所述多晶硅浮栅的第二延伸端平行的方向上相互交叠；所述第一P+区的注入区和所述第一N+区的注入区的交叠区的大小根据所述第一N+区的注入区和所述第一有源区的套刻精度确定，保证在所述第一N+区的注入区和所述第一有源区的套刻偏差最大的条件下，注入后形成的所述第一N+区依然会和所述第一有源区形成能实现有效擦除的交叠结构。

2.如权利要求1所述的MTP器件，其特征在于：所述第一P+区的注入区位于和所述第一N+区的注入区形成的交叠区的另一侧延伸到所述第一有源区的外侧。

3.如权利要求1所述的MTP器件，其特征在于：所述第一N+区的注入区位于和所述第一P+区的注入区形成的交叠区的另一侧延伸到所述第一有源区的外侧。

4.如权利要求1所述的MTP器件，其特征在于：在所述第一N+区的注入区和所述第一有源区的套刻偏差最大的条件下，注入后形成的所述第一N+区依然会和所述第一有源区交叠且会在所述第一有源区中和所述第一P+区相接触。

5.如权利要求1所述的MTP器件，其特征在于：所述第一P+区的注入区通过光刻工艺定义；所述第一N+区的注入区通过光刻工艺定义；

所述第一P+区的注入区和所述第一N+区的注入区的交叠区通过将所述第一N+区的注入区沿和所述多晶硅浮栅的第二延伸端平行的方向上向所述第一P+区的注入区的方向扩展形成，使所述第一P+区的注入区和所述第一N+区的注入区的交叠区位于所述第一有源区的中央偏向所述第一P+区的区域。

6.如权利要求1所述的MTP器件，其特征在于：所述编程耦合结构位于第二N阱中，所述多晶硅浮栅在所述第一延伸端处宽度扩大使所述第一延伸端的面积增加，以增加所述编程耦合结构的耦合电容；

在所述第一延伸端两侧形成有由第二P+区组成的源漏区，并在所述第一延伸端两侧的源漏区的顶端形成有编程电极。

7.如权利要求1所述的MTP器件，其特征在于：所述第一NMOS管的第一侧形成有第二N+区，在所述第一NMOS管的第二侧和所述第二NMOS管的第一侧之间形成有第三N+区，在所述第二NMOS管的第二侧和所述第三NMOS管的第一侧之间形成有第四N+区，在所述第三NMOS管的第二侧形成有第五N+区；

所述第二N+区作为所述第一NMOS管的源区并连接到源线；

所述第三N+区同时作为所述第一NMOS管的漏区和所述第二NMOS管的源区；

所述第四N+区同时作为所述第二NMOS管的漏区和所述第三NMOS管的源区；

所述第五N+区作为所述第三NMOS管的漏区并连接到位线。

8.如权利要求1所述的MTP器件，其特征在于：所述第一P+区和所述第一N+区在所述有源区外相接触；在所述第一N+区的顶部连接到擦除电极，擦除信号从所述擦除电极加入到所述第一N+区并通过所述第一N+区和所述第一P+区之间形成的PN结连接到所述第一P+区。