[发明专利]液晶介质和包含其的高频组件

权利要求书

1.液晶介质，特征在于其包含一种或多种式I的化合物

其中

R¹表示H，具有1至17个C原子的未氟化烷基或未氟化烷氧基，或具有2至15个C原子的未氟化烯基，未氟化烯基氧基或未氟化烷氧基烷基，

n为0，1或2，和

至

彼此独立地表示

其中

替代性地表示

优选

和在n＝2的情况下，中的一个优选

表示和另一个优选表示

和其中一种或多种式I的化合物在介质中的总浓度为73重量％或更高。

2.根据权利要求1的液晶介质，特征在于其包含一种或多种选自式I-1，I-2和I-3的化合物的化合物

其中A¹²和A¹³具有权利要求1中所指出的含义和

L¹表示H或F，和

R¹表示具有1至7个C原子的未氟化烷基或具有2至7个C原子的未氟化烯基。

3.根据权利要求1或2的介质，特征在于其包含一种或多种选自式I-3a至I-3d的化合物的化合物:

4.根据权利要求1至3中一项或多项的介质，特征在于其以30重量％至70重量％的总浓度包含一种或多种如权利要求3中所指出的式I-3c的化合物。

5.根据权利要求1至4中一项或多项的介质，特征在于其额外以29％或更低的总浓度包含一种或多种选自式II和III的化合物的化合物

其中

R²表示H，具有1至17个C原子的未氟化烷基或未氟化烷氧基或具有2至15个C原子的未氟化烯基，未氟化烯基氧基或未氟化烷氧基烷基,

Z²¹表示反式-CH＝CH-，反式-CF＝CF-或-C≡C-，

彼此独立地表示

R³具有以上针对R²给出的含义,

Z³¹和Z³²中的一者表示反式-CH＝CH-，反式-CF＝CF-或-C≡C-，

和

Z³¹和Z³²中的另一者表示反式-CH＝CH-，反式-CF＝CF-或单键，

至

彼此独立地表示

替代性地独立地表示

6.根据权利要求1至5中一项或多项的介质，特征在于其以20％或更高的总浓度包含如权利要求2中所指出的式I-1的化合物。

7.根据权利要求1至6中一项或多项的介质，特征在于一种或多种式I的化合物选自式I-1b的化合物

8.根据权利要求1至7中一项或多项的介质，特征在于其额外包含一种或多种手性化合物。

9.用于高频技术的组件，特征在于其包含根据权利要求1至8中一项或多项的液晶介质。

10.根据权利要求9的组件，其中该组件适于在微波范围中操作。

11.根据权利要求9或10的组件，其中该组件是在微波区域中可操作的移相器或基于LC的天线元件。

12.根据权利要求1至8中一项或多项的液晶介质在用于高频技术的组件中的用途。

13.制备液晶介质的方法，特征在于将两种或更多种式I的化合物彼此混合和任选地添加手性化合物。

14.微波天线阵列，特征在于其包含一种或多种根据权利要求9至11中一项或多项的组件。

15.如权利要求1中所指出的式I的化合物，其中n为2。