[发明专利]一种用于制备硫酸镁晶体的低温蒸发结晶装置及基于该装置的结晶方法有效

专利信息
申请号: 201710959639.6 申请日: 2017-10-16
公开(公告)号: CN107617228B 公开(公告)日: 2019-12-17
发明(设计)人: 李浩然;仇云飞;艾新伟;马英 申请(专利权)人: 中国科学院过程工程研究所;海城市德镁环保科技有限公司
主分类号: B01D9/00 分类号: B01D9/00;B01D9/02;B01D1/26;C01F5/40
代理公司: 11472 北京方安思达知识产权代理有限公司 代理人: 陈琳琳;李彪
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 硫酸镁晶体 可用 制备 低温蒸发结晶 中低温蒸发 废液处理 固液分离 加热装置 结晶处理 喷淋装置 一段蒸发 出液管 处理液 纯硫酸 高纯度 固定架 进液管 硫酸镁 密度计 引风机 蒸发槽 除杂 多段 浸出 蒸发 浓缩 调控
【权利要求书】:

1.一种用于制备硫酸镁晶体的低温蒸发结晶装置,其特征在于,所述装置包括:固定架(1)、若干个一段蒸发槽、若干个二段蒸发槽、进液管(3)、密封装置(4)、出液管(5)、引风机(7)、加热装置(8)、喷淋装置(9)、密度计(11);

一段蒸发槽和二段蒸发槽均竖直叠放在固定架(1)上,一段蒸发槽和二段蒸发槽均包括蒸发槽体(2);蒸发槽体(2)包括上部柱体和下部锥体形槽底;

在蒸发槽体(2)的顶部布置密封装置(4),中间留有孔,该孔用于设置一个或多个引风机(7),在蒸发槽体(2)的内部均设置加热装置用于对处理液的加热;

在蒸发槽体(2)的顶部还设置喷淋装置(9),所述喷淋装置(9)与进液管(3)连通,在蒸发槽体(2)的槽底设置出液管(5);

在蒸发槽体(2)内还设置有测温器(10)和密度计(11)。

2.根据权利要求1所述的用于制备硫酸镁晶体的低温蒸发结晶装置,其特征在于,所述加热装置为可控温加热装置,其控温部分置于槽内处理液中,加热部分为加热带(8),呈环形布置在靠近蒸发槽内壁一定距离的位置。

3.基于权利要求1所述的用于制备硫酸镁晶体的低温蒸发结晶装置的结晶方法,所述结晶方法包括如下步骤:

1)将处理液泵入一段蒸发槽内,在0~45℃下浓缩至密度达到1.23~1.25g/cm3,获得悬浊液;

2)固液分离步骤1)中所得悬浊液,获得液相;

3)将步骤2)中所得液相泵入二段蒸发槽内在35~65℃下蒸发结晶至密度达到1.33~1.38g/cm3,获得悬浊液;

4)固液分离步骤3)中所得悬浊液,获得固相,干燥所述固相,获得硫酸镁晶体。

4.根据权利要求3所述的结晶方法,其特征在于,所述处理液中硫酸镁的质量浓度度不低于30%,钠离子的质量浓度为5%~10%,钙、铁离子质量浓度不大于25%,pH值为5.5~6.5。

5.根据权利要求3所述的结晶方法,其特征在于,步骤2)中所述固液分离,所得固相含钙、铁离子的杂质;步骤4)中所述固液分离,所得液相含钠离子杂质离子。

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