[发明专利]一种有机电致发光器件

说明书

本发明涉及一种有机电致发光器件，其发光层与电子传输层之间具有一层空穴阻挡层，所述空穴阻挡层材料的HOMO能级高于5.6eV，能带间隙大于2.5eV，三线态能级T1高于2.5eV，该空穴阻挡层材料选自通式(A)、通式(B)或通式(C)所示的化合物：本发明器件具有驱动电压低、发光效率高的优点。

技术领域

本发明涉及一种新型有机电致发光器件。

背景技术

随着OLED技术在照明和显示两大领域的不断推进，人们对于影响OLED器件性能的高效有机材料的研究更加关注，一个效率好寿命长的有机电致发光器件通常是器件结构与各种有机材料的优化搭配的结果。在最常见的OLED器件结构里，通常包括以下种类的有机功能层：空穴注入层(HIL)、空穴阻挡层(HTL)电子阻挡层(EBL)、发光层(EML)、空穴阻挡层(HBL)电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。其中，HBL介于EML与ETL之间，主要用于阻挡EML空穴的传出、增强ETL电子的传入以及阻挡EML激子的扩散。

其中，空穴阻挡和电子传输作用主要受到材料HOMO和迁移率的影响，而高的T1能级和能带间隙能够阻挡激子的扩散和载流子的复合。目前，常规的HBL材料如TPBi和BCP均主要增加材料的HOMO能级(6.0eV)和提高T1能级(2.5eV)上，受限于较低的迁移率，使得这些HBL材料虽然能够起到一定的提高器件亮度的作用，却无法有效降低器件的电压。

由于HBL材料对器件性能的影响因素较多，目前没有一款材料能够同时满足上述条件，因此，通过适当降低HB材料HOMO能级并提高电子迁移率能够在不影响空穴阻挡效果(提高激子符合率)的情况下有效降低器件的电压，同时保留高T1能级和能带间隙能够有效阻挡激子的扩散，适用于荧光和磷光器件体系。

发明内容

本发明的目的是提供一种新型有机材料在器件中的应用，重点克服现有器件在空穴阻挡材料选择和应用上的不足，解决空穴阻挡材料应用缺乏的问题。

本发明涉及一种有机电致发光器件，其发光层与电子传输层之间具有一层空穴阻挡层，所述空穴阻挡层材料的HOMO能级高于5.6eV，能带间隙Eg大于2.5eV，三线态能级T1能级高于2.5eV。

所述空穴阻挡层材料选自通式(A)、通式(B)或通式(C)所示的化合物：

通式(A)中，n为1或2；

Ar¹、Ar²和Ar³中，至少有两个分别独立选自含有吡啶环的5～60个碳原子的杂环芳烃基团，剩余的另一个选自氢原子、含有1～40个碳原子的烷烃基团、含有5～50个碳原子的芳烃基团或含有5～50个碳原子的含氮原子的杂环芳烃基团。

通式(B)中，R₁选自氢原子或苯基；

R₂、R₂’分别独立选自含有3～30个碳原子的含氮原子的杂环芳烃基团；

m为1、2或3，且当m为2或3时，R₂所选的基团彼此相同或不同；

n为1、2或3，且当n为2或3时，R₂’所选的基团彼此相同或者不同。

通式(C)中：

Ar⁴选自含有6～30个碳原子的取代或未取代的芳烃基团、含有5～30个碳原子的取代或未取代的杂环芳烃基团；

Ar⁵选自氢原子、含有2～10个碳原子的烷烃基团、含有6～30个碳原子的取代或未取代的芳烃基团、含有5～30个碳原子的取代或未取代的杂环芳烃基团；