[发明专利]用于有机电子器件的菲化合物

说明书

本发明涉及一种用于有机电子器件的菲化合物。具体地，本发明涉及特定的菲，涉及所述化合物在电子器件中的用途，和涉及包含这些化合物中的至少一种的电子器件。本发明还涉及制备所述化合物的方法，并且涉及包含所述化合物中的一种或多种的制剂和组合物。

本申请是申请日为2013年5月6日、申请号为201380029898.9、发明名称为“用于有机电子器件的菲化合物”的中国发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种用于有机电子器件的菲化合物。具体地，本发明涉及一种新型的有机化合物，涉及所述化合物在电子器件中的用途，和涉及包含至少一种所述化合物的电子器件。本发明还涉及制备所述化合物的方法和涉及包含至少一种所述化合物的组合物和制剂。

背景技术

用于电子器件的功能化合物的开发目前是大力研究的主题。此处的目的特别是开发如下的化合物，使用所述化合物能够在一个或多个相关点例如发光的性能效率、寿命或颜色坐标实现电子器件的性质的改进。

根据本发明、术语电子器件特别是被认为是指有机集成电路 (OIC)、有机场效应晶体管(OFET)、有机薄膜晶体管(OTFT)、有机发光晶体管(OLET)、有机太阳能电池(OSC)、有机光学检测器、有机光感受器、有机场猝熄器件(OFQD)、有机发光电化学电池(OLEC)、有机激光二极管(O-laser)和有机电致发光器件(OLED)。

特别关注的是提供在最后提到的被称为OLED的电子器件中使用的化合物。OLED的一般结构和功能原理对于本领域普通技术人员是已知的，并且特别是描述在US 4539507、US 5151629、EP 0676461和 WO 1998/27136中。

关于OLED的性能数据，进一步的改进仍是需要的，尤其是鉴于广泛的商业使用，例如在显示装置中或作为光源仍然需要改进。在这方面尤其重要的是OLED的寿命、效率和工作电压和实现的色值。此外，期望作为功能材料用于电子器件中的化合物具有高的热稳定性和高的玻璃化转变温度并且能够在不降解的情况下升华。

在这一点上，特别是需要可选的空穴传输材料。在依照现有技术的空穴传输材料的情况下，电压通常随着空穴传输层的层厚度而增加。在实践中，空穴传输层的更大的厚度经常是期望的，但是这通常导致较高的工作电压和较差的性能数据。就此而论，需要具有高电荷-载流子迁移率的新型空穴传输材料，从而可实现工作电压仅稍微增加的较厚的空穴传输层。

现有技术公开了特别是将芳基胺化合物和咔唑化合物用作OLED 的空穴传输材料。

申请WO 2010/083871公开了由一个或多个芳基氨基基团取代的二氢吖啶衍生物用作OLED中的功能材料，优选地用作空穴传输和空穴注入材料。

KR 2011047803公开了可以是二胺或单胺的菲，其中在单胺的情况下该氨基基团不通过菲的3位键合。

JP 1992321649公开了包含两个烯烃基团的芳族叔胺。还公开了呈现为在3位含有氨基基团的菲的单个化合物，其中所述胺另外被两个本身各自含有烯烃基团的芳族基团取代。

US 2008/0182129公开了由芳族胺取代的蒽，其中所述芳族基团也可以是菲。

WO 2011/136482描述了取代的菲作为电荷传输化合物。在此公开的菲至少被二取代，其中两个取代基都含有胺基团。

但是，仍然需要在OLED中使用的新型空穴传输和空穴注入材料。特别地，需要如下的材料，使用该材料能够实现上面提到的在OLED 的性能数据和性质方面非常期望的改进。

同样地需要在OLED中和在其它电子器件中使用新型基质材料。特别地，需要用于磷光掺杂剂的基质材料和用于混合基质体系的基质材料，该基质材料优选地产生电子器件的良好效率、长寿命和低工作电压。

发明内容