[发明专利]鳍式半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种鳍式半导体器件的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底的表面形成多个鳍部掩膜侧墙，所述多个鳍部掩膜侧墙依次编号，其中，编号为奇数的奇数掩膜侧墙具有第一宽度，编号为偶数的偶数掩膜侧墙具有第二宽度，所述第一宽度与第二宽度不同；

以所述鳍部掩膜侧墙为掩膜，在所述半导体衬底的表面刻蚀形成凸出的鳍部，所述鳍部包括对应于所述奇数掩膜侧墙的奇数鳍部以及对应于所述偶数掩膜侧墙的偶数鳍部；

所述鳍式半导体器件包括静态随机存储器；

所述静态随机存储器包括上拉晶体管以及传输晶体管，所述上拉晶体管包括至少一个上拉鳍部，所述传输晶体管包括第一传输鳍部以及第二传输鳍部；

其中，所述上拉鳍部与所述第一传输鳍部为所述奇数鳍部；所述第二传输鳍部为所述偶数鳍部；或者，

所述第一传输鳍部为所述奇数鳍部；所述上拉鳍部与所述第二传输鳍部为所述偶数鳍部。

2.根据权利要求1所述的鳍式半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述半导体衬底的表面形成多个鳍部掩膜侧墙包括：

在所述半导体衬底的表面形成多个心轴；

在所述心轴周围形成侧墙；

向所述侧墙进行第一倾斜角度离子注入，以在所述心轴一侧的侧墙内形成第一掺杂区；

对所述侧墙进行刻蚀以在每个心轴的两侧形成所述鳍部掩膜侧墙，其中，对所述第一掺杂区的刻蚀速率大于其他部分的刻蚀速率；

去除所述心轴。

3.根据权利要求2所述的鳍式半导体器件的形成方法，其特征在于，向所述侧墙进行第一倾斜角度离子注入的注入参数包括：

掺杂离子选自四价离子、惰性离子以及氮离子；

注入角度为1度至30度。

4.根据权利要求3所述的鳍式半导体器件的形成方法，其特征在于，所述掺杂离子为锗离子。

5.根据权利要求2所述的鳍式半导体器件的形成方法，其特征在于，对所述侧墙进行刻蚀以在每个心轴的两侧形成鳍部掩膜侧墙包括：

采用各向异性的干法刻蚀对所述侧墙进行刻蚀。

6.根据权利要求1所述的鳍式半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述半导体衬底的表面形成多个鳍部掩膜侧墙包括：

在所述半导体衬底的表面形成多个心轴，所述心轴的顶部覆盖有硬掩膜层；向所述心轴以及所述硬掩膜层进行第二倾斜角度离子注入，以在所述心轴一侧的内部形成第二掺杂区；

对所述心轴进行刻蚀以形成窄心轴，其中，对所述第二掺杂区的刻蚀速率大于其他部分的刻蚀速率，以使所述窄心轴一侧的硬掩膜层下方具有空隙；

在所述窄心轴以及所述硬掩膜层的周围形成侧墙，所述侧墙填充所述空隙；去除所述硬掩膜层以及所述窄心轴，所述侧墙作为所述鳍部掩膜侧墙。

7.根据权利要求6所述的鳍式半导体器件的形成方法，其特征在于，向所述心轴以及所述硬掩膜层进行第二倾斜角度离子注入的注入参数包括：

掺杂离子选自四价离子、惰性离子以及氮离子；

注入角度为1度至30度。

8.一种鳍式半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底；

多个鳍部掩膜侧墙，在所述半导体衬底的表面，所述多个鳍部掩膜侧墙依次编号，其中，编号为奇数的奇数掩膜侧墙具有第一宽度，编号为偶数的偶数掩膜侧墙具有第二宽度，所述第一宽度与第二宽度不同；

凸出的鳍部，以所述鳍部掩膜侧墙为掩膜，在所述半导体衬底的表面刻蚀形成的，所述鳍部包括对应于所述奇数掩膜侧墙的奇数鳍部以及对应于所述偶数掩膜侧墙的偶数鳍部；

所述鳍式半导体器件包括静态随机存储器；

所述静态随机存储器包括上拉晶体管以及传输晶体管，所述上拉晶体管包括至少一个上拉鳍部，所述传输晶体管包括第一传输鳍部以及第二传输鳍部；

其中，所述上拉鳍部与所述第一传输鳍部为所述奇数鳍部；所述第二传输鳍部为所述偶数鳍部；或者，

所述第一传输鳍部为所述奇数鳍部；所述上拉鳍部与所述第二传输鳍部为所述偶数鳍部。