[发明专利]一种用于SSD后端的数据流管控方法

说明书

本发明公开了一种用于SSD后端的数据流管控方法，SSD后端包括命令调度模块、数据传输控制模块、加扰CRCECC模块和Nand时序控制模块，该方法预先在数据传输控制模块和命令调度模块之间建立第一命令通道和第一反馈消息通道，在Nand时序控制模块和命令调度模块之间建立第二命令通道和第二反馈消息通道。通过将read/write命令和其他的操作命令的操作过程区分开，通过调整不同的命令接收通路以及完成消息反馈通路，减少了Nand接口等待数据的延时开销，提高了Nand接口上命令响应的效率。

技术领域

本发明涉及数据流处理领域，特别是涉及一种用于SSD后端的数据流管控方法。

背景技术

SSD即固态硬盘，可以分为三部分：PCIE/SATA控制器、SSD控制器和Flash。其中，SSD控制器包括CPU、前端控制器、DDR、DMA、总线和SSD后端处理部分。SSD后端要实现加扰、ECC、CRC、Nand时序控制等功能模块，并在此基础上实现对NAND flash颗粒的read、write、erase等操作，但是，由于整个数据流需要经过的功能模块比较多，延时较大，使得Nand接口的请求效率不高。

因此，如何降低延时开销，提高Nand接口的响应效率，是本领域技术人员目前需要解决的技术问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种用于SSD后端的数据流管控方法，可以降低延时开销，提高Nand接口的响应效率。

为解决上述技术问题，本发明提供了如下技术方案：

一种用于SSD后端的数据流管控方法，所述SSD后端包括命令调度模块、数据传输控制模块、加扰CRCECC模块和Nand时序控制模块，该方法包括：

预先在所述数据传输控制模块和所述命令调度模块之间建立第一命令通道和第一反馈消息通道，在所述Nand时序控制模块和所述命令调度模块之间建立第二命令通道和第二反馈消息通道；

通过所述命令调度模块检测flash操作命令；

当所述flash操作命令为flash write命令时，通过所述第一命令通道将所述flash write命令发送至所述数据传输控制模块，并在所述Nand时序控制模块完成对应的write操作后，通过所述第二反馈消息通道将相应完成消息传输给所述命令调度模块；

当所述flash操作命令为flash read命令时，通过所述第二命令通道将所述flashread命令发送至所述Nand时序控制模块，并在所述数据传输控制模块完成对应的read操作后，通过所述第一反馈消息通道将相应完成消息传输给所述命令调度模块；

当所述flash操作命令为非read/write命令时，通过所述第二命令通道将该非read/write命令发送至所述Nand时序控制模块，并在完成该非read/write命令后，通过所述第二反馈消息通道将相应完成消息传输给所述命令调度模块。

优选地，所述当所述flash操作命令为flash write命令时，通过所述第一命令通道将所述flash write命令发送至所述数据传输控制模块，并在所述Nand时序控制模块完成对应的write操作后，通过所述第二反馈消息通道将相应完成消息传输给所述命令调度模块，包括：

当所述flash操作命令为flash write命令时，通过所述第一命令通道将所述flash write命令发送至所述数据传输控制模块；

通过所述数据传输控制模块从所述SSD后端连接的DDR上读取需要写入Flash的写数据；

将所述写数据通过所述加扰CRCECC模块相应处理后发送至所述Nand时序控制模块；

通过所述Nand时序控制模块将经所述加扰CRCECC模块处理后的写数据写入至所述Flash中；