[发明专利]一种准分子激光退火设备有效
| 申请号： | 201710953870.4 | 申请日： | 2017-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN107706092B | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 张宇;吕祖彬;谢银 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01S3/036 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 准分子激光 退火 设备 | ||
1.一种准分子激光退火设备，其特征在于，包括条状的激光输出通道；所述条状的激光输出通道包括两个端面和与所述两个端面均相接的侧面；
所述准分子激光退火设备还包括设置在所述侧面的至少一个进气管路，以及设置在所述端面的进气管路；其中，所述进气管路用于向所述激光输出通道输入气体；
所述激光输出通道的侧面设置有多个所述进气管路，相邻所述进气管路之间的距离相等；
所述激光输出通道上设置的各个所述进气管路的内径大小相同。
2.根据权利要求1所述的准分子激光退火设备，其特征在于，所述激光输出通道的两个端面均设置有所述进气管路。
3.根据权利要求1所述的准分子激光退火设备，其特征在于，所述准分子激光退火设备还包括设置在所述进气管路中的气体扩散装置，用于控制从所述进气管路输入至所述激光输出通道的气体的气流速度和/或气体量。
4.根据权利要求3所述的准分子激光退火设备，其特征在于，所述气体扩散装置设置在所述进气管路的出口处。
5.根据权利要求1所述的准分子激光退火设备，其特征在于，所述准分子激光退火设备还包括分布在所述激光输出通道内的多个气体检测器；
所述气体检测器用于检测该气体检测器所在位置处的气体浓度。
6.根据权利要求1所述的准分子激光退火设备，其特征在于，所述准分子激光退火设备还包括气体源，所述气体源与各所述进气管路均相连，用于为各所述进气管路提供气体；
所述气体源提供的气体包括氮气。
7.根据权利要求1所述的准分子激光退火设备，其特征在于，所述激光输出通道的侧面设置的进气管路的个数为2～5个。
8.根据权利要求1所述的准分子激光退火设备，其特征在于，所述准分子激光退火设备还包括激光发生器，所述激光发生器用于发射激光；
所述激光发生器发射的激光射向所述激光输出通道中。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
