[发明专利]电致发光层及其制备方法、电致发光器件、显示和照明装置

权利要求书

1.一种电致发光层，其特征在于，包括纳米晶体半导体材料和Ag配合物发光材料，其中，所述Ag配合物发光材料是发光波长为380nm～780nm的一价银配位化合物发光材料，所述Ag配合物发光材料的峰值发射波长小于所述纳米晶体半导体材料的峰值发射波长。

2.根据权利要求1所述的电致发光层，其特征在于，所述Ag配合物发光材料的配体为卤族元素及以P或/和S为配位基的单齿或多齿配体配体的组合，或以P或/和S为配位基的单齿或多齿配体。

3.根据权利要求2所述的电致发光层，其特征在于，所述以P或/和S为配位基的单齿或多齿配体为芳基膦、硫苯酚、硫醇和邻菲罗啉中的一种或多种。

4.根据权利要求2所述的电致发光层，其特征在于，所述Ag配合物发光材料选自如下化合物：

中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的电致发光层，其特征在于，所述纳米晶体半导体材料选自IIB-VIA族化合物纳米晶体半导体材料、IIIA-VA族化合物纳米晶体半导体材料、IVA-VIA族化合物纳米晶体半导体材料、钙钛矿型纳米晶体半导体材料及由一种或多种碳族元素组成的纳米晶体半导体材料中的至少一种。

6.根据权利要求1～5任一项所述的电致发光层，其特征在于，所述电致发光层为由所述纳米晶体半导体材料和所述Ag配合物发光材料共混形成的第一薄膜结构，或所述电致发光层为由所述纳米晶体半导体材料和所述Ag配合物发光材料分别形成的两个薄膜层层叠构成的第二薄膜结构，或所述电致发光层同时含有所述第一薄膜结构和所述第二薄膜结构。

7.根据权利要求6所述的电致发光层，其特征在于，所述第一薄膜结构中，所述纳米晶体半导体材料占所述第一薄膜结构的1wt％～99wt％；所述第二薄膜结构中，所述纳米晶体半导体材料和所述Ag配合物发光材料分别形成的两个薄膜层直接相互层叠设置，或所述纳米晶体半导体材料和所述Ag配合物发光材料分别形成的两个薄膜层之间设有其他薄膜层，其中所述其他薄膜层的厚度不超过10nm。

8.一种电致发光层的制备方法，其特征在于，将权利要求1～7任一项所述的电致发光层中的所述纳米晶体半导体材料和所述Ag配合物发光材料采用共混成膜和/或分别成膜的方法制备；

所述采用共混成膜的方法的制备步骤包括：将所述纳米晶体半导体材料和所述Ag配合物发光材料共混并成膜，得到电致发光层；

所述采用分别成膜的方法的制备步骤包括：将所述纳米晶体半导体材料和所述Ag配合物发光材料分别成膜以形成两个薄膜层，且其中一个薄膜层形成于另一个薄膜层上，得到电致发光层。

9.一种电致发光器件，其特征在于，包括权利要求1～7任一项所述的电致发光层。

10.包括权利要求1～7任一项所述电致发光层的显示装置或照明装置。