[发明专利]半导体装置的制作方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制作方法，包括：

提供一半导体基底，该半导体基底上定义有一第一区与一第二区；

在该半导体基底的该第一区上形成多个第一栅极结构；

在该半导体基底的该第二区上形成多个第二栅极结构，其中该多个第二栅极结构之间的间距大于该多个第一栅极结构之间的间距；

进行一第一离子注入制作工艺，用以于该多个第一栅极结构之间的该半导体基底中形成一第一掺杂区；

进行一第二离子注入制作工艺，用以于该多个第二栅极结构之间的该半导体基底中形成一第二掺杂区，其中该第二离子注入制作工艺的倾斜角度大于该第一离子注入制作工艺的倾斜角度，且该第二离子注入制作工艺的注入剂量低于该第一离子注入制作工艺的注入剂量；以及

进行一蚀刻制作工艺，用以移除至少部分的该第一掺杂区而于该半导体基底中形成一第一凹陷，且用以移除至少部分的该第二掺杂区而于该半导体基底中形成一第二凹陷。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中该多个第二栅极结构之间的该间距大于100纳米。

3.如权利要求2所述的半导体装置的制作方法，其中该多个第二栅极结构之间的该间距大于120纳米。

4.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中该第二离子注入制作工艺的该倾斜角度介于20度至30度之间。

5.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中该第二离子注入制作工艺的该注入剂量介于120E13离子/平方厘米至180E13离子/平方厘米之间。

6.如权利要求5所述的半导体装置的制作方法，其中该第二离子注入制作工艺的该注入剂量介于135E13离子/平方厘米至165E13离子/平方厘米之间。

7.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中该第一离子注入制作工艺中使用的掺杂质与该第二离子注入制作工艺中使用的掺杂质相同。

8.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中该第一离子注入制作工艺中使用的该掺杂质与该第二离子注入制作工艺中使用的该掺杂质包括砷或碳。

9.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，还包括：

在该第一凹陷中形成一第一外延结构；以及

在该第二凹陷中形成一第二外延结构，其中该第一外延结构的成分与该第二外延结构的成分相同。

10.如权利要求9所述的半导体装置的制作方法，其中该第一外延结构以及该第二外延结构分别包括一硅锗外延结构。

11.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，还包括：

形成一第一掩模层覆盖该半导体基底的该第二区，其中于该第一离子注入制作工艺中，该半导体基底的该第二区被该第一掩模层覆盖；

形成一第二掩模层覆盖该半导体基底的该第一区，其中于该第二离子注入制作工艺中，该半导体基底的该第一区被该第二掩模层覆盖；

在该蚀刻制作工艺之前，移除该第一掩模层；以及

在该蚀刻制作工艺之前，移除该第二掩模层。

12.如权利要求11所述的半导体装置的制作方法，其中该第一离子注入制作工艺于该第二离子注入制作工艺之前进行。

13.如权利要求12所述的半导体装置的制作方法，其中该第一掩模层于该第二离子注入制作工艺之前被移除。

14.如权利要求12所述的半导体装置的制作方法，其中该第二掩模层是于移除该第一掩模层的步骤之后形成。

15.如权利要求11所述的半导体装置的制作方法，其中该第一离子注入制作工艺于该第二离子注入制作工艺之后进行。