[发明专利]改良式太阳能发电装置及其制造方法

权利要求书

1.一种改良式太阳能发电装置的制造方法，包含下列步骤：

一半导体材料制备步骤，制备一N型半导体材料模组，及一P型半导体材料模组；及

一模组结合步骤，将该N型半导体材料模组及该P型半导体材料模组组合在一起，以形成一发电单元。

2.如权利要求1所述的改良式太阳能发电装置的制造方法，其特征在于，还包含一于该半导体结合步骤后的电极制造步骤，于该N型半导体材料模组的表面形成一N电极，于该P型半导体材料模组的表面形成一P电极。

3.如权利要求2所述的改良式太阳能发电装置的制造方法，其特征在于，还包含一于该半导体结合步骤及该电极制造步骤之间的孔洞制造步骤，于该N型半导体材料模组的表面形成多个孔洞结构。

4.如权利要求3所述的改良式太阳能发电装置的制造方法，其特征在于，还包含一于该孔洞制造步骤及该电极制造步骤之间的填充步骤，于该多个孔洞结构中填充一填充体，该填充体具有导电及催化的特性。

5.如权利要求2所述的改良式太阳能发电装置的制造方法，其特征在于，还包含一于该电极制造步骤后的聚光体制造步骤，于该N电极的表面形成一聚光体。

6.一种改良式太阳能发电装置，是依据权利要求1-5中任一项制造方法所制成，并包含：

一发电单元，包括一N型半导体材料模组，及一P型半导体材料模组，该N型半导体材料模组与该P型半导体材料模组组合在一起。

7.如权利要求6所述的改良式太阳能发电装置，其特征在于，还包含一导电单元，包括一与该N型半导体材料模组连接之N电极，及一与该P型半导体材料模组连接之P电极。

8.如权利要求7所述的改良式太阳能发电装置，其特征在于，该N型半导体材料模组的表面具有多个孔洞结构，该导电单元更包括一设置于该多个孔洞结构的填充体，该填充体具有导电及催化的特性。

9.如权利要求8所述的改良式太阳能发电装置，其特征在于，该填充体是选自于一共轭体系的分子、一过渡元素、一富勒烯，其中之一或其组合。

10.如权利要求7所述的改良式太阳能发电装置，其特征在于，还包含一聚光单元，包括一与该N电极连接之聚光体，其中，该聚光体盖呈鱼鳞片透镜形态，用以将日光进行聚集。