[发明专利]晶体管装置

权利要求书

1.一种晶体管装置，其特征在于，包括：

导电衬底；

半导体本体，半导体本体包括晶体管结构，所述晶体管结构包括连接到所述导电衬底的源极端子；

接合焊盘，接合焊盘提供连接到所述晶体管结构，所述接合焊盘被配置为接收接合线；

其中所述半导体本体包括射频返回电流路径用于传送与所述接合线相关联的返回电流，所述射频返回电流路径包括布置在所述半导体本体上的金属的射频返回电流条，所述射频返回电流条被配置为连接到所述晶体管结构的所述源极端子。

2.根据权利要求1所述的晶体管装置，其中，所述射频返回电流条延伸到所述半导体本体的边缘。

3.根据权利要求2所述的晶体管装置，其中，所述射频返回电流条通过至少一个通孔元件在所述射频返回电流条的第一端被连接到所述源极端子和在所述射频返回电流条相反的第二端连接到所述导电衬底。

4.根据权利要求3所述的晶体管装置，其中，所述射频返回电流条使用连接到所述接合焊盘的接合线在所述第二端通过匹配电容器的连接连接到所述导电衬底，所述匹配电容器形成与所述晶体管结构相关联的匹配网络的至少一部分。

5.根据权利要求2所述的晶体管装置，其中，所述射频返回电流条具有第一端和相反的第二端，所述射频返回电流条在所述第一端和所述第二端只连接到所述导电衬底。

6.根据权利要求5所述的晶体管装置，其特征在于，所述射频返回电流条使用所述接合线在所述第二端通过匹配电容器的连接连接到所述导电衬底，所述匹配电容器形成与所述晶体管结构相关联的匹配网络的至少一部分。

7.根据权利要求1所述的晶体管装置，其中，所述晶体管装置包括多个分离的射频返回电流条，每个射频返回电流条提供分离的返回电流路径。

8.根据权利要求1所述的晶体管装置，其中，所述射频返回电流条包括所述晶体管装置的最上层。

9.根据权利要求1所述的晶体管装置，其中，所述射频返回电流条包括形成在它的表面的多个狭缝，所述狭缝形成封装锁定点。

10.根据权利要求9所述的晶体管装置，其中，所述晶体管装置形成在封装之内和所述封装与所述狭缝物理接合。

11.根据权利要求1所述的晶体管装置，其中，至少一个接合线从所述接合焊盘延伸，所述射频返回电流条和所述至少一个接合线被布置为所述射频返回电流条的路径直接在所述至少一个接合线下方延伸。

12.根据权利要求1所述的晶体管装置，其中，所述射频返回电流条是连续的并延伸穿过形成在所述半导体本体上的不同层。

13.根据权利要求1所述的晶体管装置，其中，所述晶体管装置还包括另外的无源元件，所述射频返回电流条提供到所述导电衬底的连接用于无源元件。

14.根据权利要求1所述的晶体管装置，其中，所述晶体管结构包括LDMOS晶体管。

15.一种功率放大器，其特征在于，包括根据前述权利要求中任一项所述的晶体管装置。

16.一种蜂窝基站，其特征在于，包括根据权利要求15所述的功率放大器。