[发明专利]彩膜基板及制造方法、增加膜层厚度的结构有效
申请号: | 201710947981.4 | 申请日: | 2017-10-12 |
公开(公告)号: | CN107505766B | 公开(公告)日: | 2020-05-05 |
发明(设计)人: | 曹武 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1335 | 分类号: | G02F1/1335;G02F1/1339 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 彩膜基板 制造 方法 增加 厚度 结构 | ||
1.一种彩膜基板,其特征在于,包括:
下基板;
色阻层,其形成在所述下基板上,所述色阻层包括第一色阻部和第二色阻部,所述第一色阻部和所述第二色阻部分离设置;
疏水薄膜层,其形成在第二色阻部和下基板上,且所述疏水薄膜层由第二色阻部上面延伸到邻近所述第一色阻部;
间隔物层,其通过湿膜涂布在所述疏水薄膜层和所述第一色阻部上,其包括位于第一色阻部上的主间隔物和位于第二色阻部上的辅间隔物;其中,
当所述间隔物层位于第一色阻部上时形成的第三接触角小于当所述间隔物层位于疏水薄膜层上时形成的第四接触角,以使间隔物层向主间隔物处汇聚用于增加主间隔物与所述辅间隔物之间的段差。
2.如权利要求1所述的彩膜基板,其特征在于,所述第三接触角范围为40°~60°;或/和第四接触角范围为80°~140°。
3.如权利要求1所述的彩膜基板,其特征在于,所述第一色阻部的横向截面积大于所述第二色阻部的横向截面积。
4.如权利要求1所述的彩膜基板,其特征在于,所述疏水薄膜层环绕所述第一色阻部的侧边。
5.如权利要求1所述的彩膜基板,其特征在于,所述第一色阻部上表面相对第一水平面的高度高于第二色阻部相对第一水平面的高度。
6.如权利要求1所述的彩膜基板,其特征在于,所述段差的范围为0.3μm~0.9μm。
7.如权利要求1所述的彩膜基板,其特征在于,所述疏水薄膜层的材料为氟化聚合物。
8.一种制造彩膜基板的方法,其特征在于,包括:
提供下基板;
在下基板上形成色阻层,所述色阻层包括第一色阻部和第二色阻部,所述第一色阻部和所述第二色阻部分离设置;
在第二色阻部和下基板上形成疏水薄膜层,所述疏水薄膜层由第二色阻部上面延伸到邻近所述第一色阻部;
通过湿膜涂布间隔物层在所述疏水薄膜层和所述第一色阻部上,所述间隔物层包括位于第一色阻部上的主间隔物和位于第二色阻部上的辅间隔物,其中,当所述间隔物层位于第一色阻部上时形成的第三接触角小于当所述间隔物层位于疏水薄膜层上时形成的第四接触角,以使间隔物层向主间隔物处汇聚用于增加主间隔物与所述辅间隔物之间的段差。
9.一种增加膜层厚度的结构,其特征在于,包括:
第一基板;
第一膜层,其形成在所述第一基板部分区域上;
疏水膜层,其形成在所述第一基板上且挨着所述第一膜层设置,所述疏水膜层的厚度小于第一膜层的厚度,以使所述第一膜层的上表面的高度大于所述疏水膜层的上表面的高度;
第二膜层,其通过湿膜涂布在所述第一膜层上,所述第二膜层还延伸到疏水膜层上;其中,
当所述第二膜层位于第一膜层上时形成的第一接触角小于当第二膜层位于疏水膜层上时形成的第二接触角,以使第二膜层向第一膜层上方汇聚用于增加第二膜层在第一膜层上的厚度。
10.如权利要求9所述的增加膜层厚度的结构,其特征在于,所述第二膜层位于第一膜层上的第一接触角范围为40°~60°;或/和所述第二膜层位于疏水膜层上时形成的第二接触角范围为80°~140°。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710947981.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:瑶药发表解痧浴包及其制备方法
- 下一篇:一种治疗胃肠道癌的中药