[发明专利]高纯度铝涂层硬阳极化

权利要求书

1.一种用于等离子体处理设备中的腔室部件，所述腔室部件包含：

铝主体，所述铝主体具有安置于所述铝主体的经抛光的外表面上的经抛光的铝涂层，其中所述铝主体的所述经抛光的外表面具有8μin Ra或更光滑的光洁度，并且其中镍闪光黏着层被进一步设置在所述经抛光的外表面与所述经抛光的铝涂层之间并且作为所述铝主体与所述经抛光的铝涂层之间的阻挡层，以阻挡来自所述铝主体的杂质迁移至所述经抛光的铝涂层中；以及

硬阳极化涂层，所述硬阳极化涂层安置于所述经抛光的铝涂层上，其中所述经抛光的铝涂层具有8μin Ra或更光滑的光洁度。

2.如权利要求1所述的腔室部件，其特征在于，所述经抛光的铝涂层包含高纯度铝层。

3.一种用于等离子体处理腔室中的设备，所述等离子体处理腔室具有适于支撑基板的基板基座，所述设备包含：

铝平板，所述铝平板具有多个穿孔，所述多个穿孔穿过所述铝平板而形成并经设置以控制所述等离子体的带电和中性物种的空间分布，所述铝平板包含：

经抛光的铝层，所述经抛光的铝层安置于所述铝平板的经抛光的外表面上，其中所述铝平板的所述经抛光的外表面具有8μin Ra或更光滑的光洁度，并且其中镍闪光黏着层被进一步设置在所述经抛光的外表面与所述经抛光的铝层之间并且作为所述铝平板与所述经抛光的铝层之间的阻挡层，以阻挡来自所述铝平板的杂质迁移至所述经抛光的铝层中；以及

硬阳极化涂层，所述硬阳极化涂层安置于所述铝层上，其中所述铝层抛光至8μin Ra或更光滑的光洁度。

4.如权利要求3所述的设备，其特征在于，所述设备进一步包含：

多个支撑脚，所述多个支撑脚将所述铝平板支撑于所述基座上方。

5.如权利要求3所述的设备，其特征在于，所述经抛光的铝层包含高纯度铝层。

6.如权利要求3所述的设备，其特征在于，所述经抛光的铝层使用电沉积或离子气相沉积(IVD)中的至少一者安置于所述铝平板的外表面上。

7.一种用于制造腔室部件的方法，所述腔室部件用于等离子体处理环境中，所述方法包含以下步骤：

由铝形成所述腔室部件的主体；

将主体的表面抛光至8μin Ra或更光滑的光洁度；

将镍闪光黏着层设置在所述主体的经抛光的表面上；

将铝层沉积于所述黏着层上；

抛光所述铝层的表面，其中抛光所述铝层的表面的步骤包含以下步骤：将所述铝层的表面抛光至8μin Ra或更光滑的光洁度；以及

硬阳极化所述铝层以形成硬阳极化层，

其中所述镍闪光黏着层作为所述主体与所述铝层的经抛光表面之间的阻挡层，以阻挡来自所述主体的杂质迁移至所述铝层的经抛光表面中。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，抛光所述铝层的表面的步骤包含以下步骤：非机械地抛光所述铝层的表面。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，沉积所述铝层的步骤包含以下步骤：使用电沉积或离子气相沉积(IVD)中的至少一者沉积所述铝层。

10.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包含以下步骤：使用非沉积材料机械地清洁，从而清洁所述硬阳极化层。