[发明专利]一种基于0.13um SiGeBiCMOS工艺的宽带单平衡三倍频器

权利要求书

1.一种基于0.13um SiGeBiCMOS工艺的宽带单平衡三倍频器，其特征在于：包括三倍频核器和输出高通放大级电路；

所述三倍频核器包括输入巴伦和输出巴伦、BJT1和BJT2以及两个直流偏置电路；两个直流偏置电路包括Vce1直流偏置电路和Vbe1直流偏置电路；所述Vce1直流偏置电路和Vbe1直流偏置电路分别与BJT1和BJT2的基极电连接；所述BJT1和BJT2的基极与输入巴伦的输出端连接；所述Vce1直流偏置电路与输出巴伦的输入端相连；

所述输出高通放大级电路包括BJT3；所述BJT3的基极分别与输出巴伦和Vbe2直流偏置电路电连接；所述BJT3的集电极与Vce2直流偏置电路电连接；

所述Vce1直流偏置电路和Vbe1直流偏置电路分别通过匹配电路与BJT1和BJT2的基极电连接；

所述BJT3的基极通过高通匹配分别与输出巴伦和Vbe2直流偏置电路电连接；所述BJT3的集电极通过高通匹配与Vce2直流偏置电路电连接；

所述Vce1直流偏置电路、Vbe1直流偏置电路、Vce2直流偏置电路和Vbe2直流偏置电路中均设有用于去偶的接地的电容；

所述BJT1和BJT2的射极均接地设置；

所述输入巴伦和输出巴伦均为可实现上下层金属耦合的宽带耦合巴伦；

输入信号经过输入巴伦，分化成幅度相近，相位相差180度的宽带的两路差分信号，两路信号具有低插入损耗，宽带宽，低幅度差和低相位180度差的特性；两路差分信号分别进入工作于B类状态下的BJT1和BJT2管对内，得到的偶次谐波输出信号幅度相近，相位相同；而奇次谐波输出信号幅度相近，相位相反；经过输出巴伦再一次反相以后，偶次谐波幅度相近，相位相反，相互抵消；而奇次谐波输出信号幅度相近，相位相同，幅度叠加；并且通过Vce1直流偏置电路的优化，使得三次谐波输出功率达到最大，其它谐波遭到抑制；

三倍频器核的输出信号进入BJT3中，通过对BJT3的高通匹配，形成单管高通放大器，滤除信号中的基频和二次谐波，并且利用放大级电路放大效果随着频率升高有较为明显的降低的特性，使得高通放大级电路在倍频核四次谐波频段具有一定抑制作用。