[发明专利]一种氧化锡基半导体薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201710947178.0 | 申请日： | 2017-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN107731930A | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 宁洪龙;刘贤哲;姚日晖;胡诗犇;张啸尘;李晓庆;张建东;徐苗;王磊;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 罗啸秋 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 半导体 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
1.一种氧化锡基半导体薄膜晶体管，由玻璃基板、栅极、栅极绝缘层、有源层和源/漏电极构成，其特征在于：所述的有源层为非晶掺硅氧化锡薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种氧化锡基半导体薄膜晶体管，其特征在于：所述栅极为厚度100～300nm的Al薄膜。
3.根据权利要求1所述的一种氧化锡基半导体薄膜晶体管，其特征在于：所述栅极绝缘层为厚度100～200nm的Al2O3。
4.根据权利要求1所述的一种氧化锡基半导体薄膜晶体管，其特征在于：所述非晶掺硅氧化锡薄膜的厚度为5～10nm。
5.根据权利要求1所述的一种氧化锡基半导体薄膜晶体管，其特征在于：所述非晶掺硅氧化锡薄膜中硅的掺杂浓度为3～6wt％。
6.权利要求1～5任一项所述的一种氧化锡基半导体薄膜晶体管的制备方法，其特征在于包括如下制备步骤：
(1)在玻璃基板上直流磁控溅射沉积制备栅极，然后在栅极表面阳极氧化生长栅极绝缘层；
(2)采用射频磁控溅射在栅绝缘层上沉积非晶掺硅氧化锡薄膜作为有源层；
(3)利用掩膜法在非晶掺硅氧化锡薄膜上直流磁控溅射制备源/漏电极。
7.根据权利要求6所述的一种氧化锡基半导体薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：步骤(2)中所述射频磁控溅射的功率为200～500W，工作气压为1～5mtorr，氩气/氧气流量比为20/0～20/4。
8.根据权利要求6所述的一种氧化锡基半导体薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：步骤(2)中所述非晶掺硅氧化锡薄膜的霍尔迁移率控制为4.7～7.1cm2/Vs，载流子浓度控制为4.09×1018～2.97×1019cm-3，氧空位含量为40.05％～45％。
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