[发明专利]多芯片封装件

说明书

提供一种多芯片封装件，所述多芯片封装件包括：封装基底，包括第一基底焊盘；第一组半导体芯片，堆叠在封装基底上，第一组半导体芯片中的每个包括结合焊盘；第一螺柱凸部，布置在第一组半导体芯片的除了第一组中的最下侧半导体芯片之外的结合焊盘上；第一导电布线，从第一组中的最下侧半导体芯片的结合焊盘向下地延伸，并且连接到第一基底焊盘；第二导电布线，从第一组中的最下侧半导体芯片的结合焊盘向上地延伸，并且顺序地连接到第一螺柱凸部。

于2016年10月24日在韩国知识产权局提交的名称为“多芯片封装件及其制造方法”的第10-2016-0138090号韩国专利申请通过引用全部包含于此。

技术领域

示例实施例涉及多芯片封装件及其制造方法。更具体地，示例实施例涉及包括通过导电布线彼此连接的多个半导体芯片的多芯片封装件以及制造该多芯片封装件的方法。

背景技术

多芯片封装件可以包括封装基底、多个半导体芯片和导电布线。半导体芯片可以堆叠在封装基底上。导电布线可以在封装基底与半导体芯片之间以及在半导体芯片之间电连接。

发明内容

根据示例实施例，可以提供一种多芯片封装件。多芯片封装件可以包括封装基底、第一组半导体芯片、第一螺柱凸部、第一导电布线和第二导电布线。封装基底可以包括第一基底焊盘。第一组半导体芯片可以堆叠在封装基底上。第一组半导体芯片中的每个可以包括结合焊盘。第一螺柱凸部可以布置在第一组半导体芯片的除了最下侧半导体芯片之外的结合焊盘上。第一导电布线可以从最下侧半导体芯片的结合焊盘向下地延伸。第一导电布线可以连接到第一基底焊盘。第二导电布线可以从最下侧半导体芯片的结合焊盘向上地延伸。第二导电布线可以顺序地连接到第一螺柱凸部。

根据示例实施例，可以提供一种多芯片封装件。多芯片封装件可以包括封装基底、第一半导体芯片至第四半导体芯片、螺柱凸部、第一导电布线和第二导电布线。封装基底可以包括第一基底焊盘。第一半导体芯片至第四半导体芯片可以以阶梯状形状堆叠在封装基底上。第一半导体芯片至第四半导体芯片中的每个可以包括结合焊盘。第一半导体芯片至第四半导体芯片可以具有基本相同的尺寸。螺柱凸部可以布置在第二半导体芯片至第四半导体芯片的结合焊盘上。第一导电布线可以包括附着到第一半导体芯片的结合焊盘的第一球。第一导电布线可以从第一球向下地延伸。第一导电布线可以连接到基底焊盘。第二导电布线可以包括附着到第一球的第二球。第二导电布线可以从第二球向上地延伸。第二导电布线可以顺序地连接到螺柱凸部。

根据示例实施例，可以提供一种多芯片封装件。所述多芯片封装件可以包括：封装基底，包括第一基底焊盘；第一组半导体芯片，堆叠在封装基底上，第一组中的半导体芯片中的每个半导体芯片包括至少一个结合焊盘；第一螺柱凸部，位于第一组半导体芯片的除了第一组中的最下侧半导体芯片之外的每个结合焊盘上；第一导电布线，从第一组中的最下侧半导体芯片中的至少一个结合焊盘延伸，以接触第一基底焊盘；第二导电布线，从第一组中的最下侧半导体芯片中的至少一个结合焊盘连续地延伸，以接触位于第一组中的最下侧半导体芯片上的半导体芯片中的每个上的至少一个第一螺柱凸部。

根据示例实施例，可以提供一种制造多芯片封装件的方法。在制造多芯片封装件的方法中，可以在包括第一基底焊盘的封装基底上堆叠第一组半导体芯片。可以在第一组半导体芯片的除了最下侧半导体芯片之外的结合焊盘上形成第一螺柱凸部。可以从最下侧半导体芯片的结合焊盘向下地延伸第一导电布线。第一导电布线可以连接到第一基底焊盘。可以从最下侧半导体芯片的结合焊盘向上地延伸第二导电布线。第二导电布线可以顺序地连接到第一螺柱凸部。

附图说明

通过参照附图详细地描述示例性实施例，对于本领域普通技术人员而言，特征将变得明显，其中：

图1示出根据示例实施例的多芯片封装件的剖视图；

图2示出堆叠在图1中的多芯片封装件的封装基底上的半导体芯片的透视图；

图3至图12示出在制造图1中的多芯片封装件的方法中的阶段的剖视图；