[发明专利]层叠芯片的制造方法有效

专利信息
申请号: 201710945668.7 申请日: 2017-10-12
公开(公告)号: CN107958848B 公开(公告)日: 2023-07-07
发明(设计)人: 中村胜 申请(专利权)人: 株式会社迪思科
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;H01L21/78;H01L21/50
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 于靖帅;乔婉
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 层叠 芯片 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种层叠芯片的制造方法,所述层叠芯片由多个芯片层叠而成,该层叠芯片的制造方法的特征在于,具有如下的步骤:

芯片形成步骤,一边使用厚度测量器对晶片的厚度进行测量,一边使用磨削装置持续对晶片的背面进行磨削而使晶片变薄,将晶片分割成多个芯片;

测量步骤,继续使用该磨削装置和该厚度测量器来进行该测量步骤,利用该厚度测量器对通过该芯片形成步骤而得到的各芯片的厚度进行测量;以及

芯片层叠步骤,根据通过该测量步骤测量出的各芯片的厚度来选择要层叠的多个芯片而进行层叠,以便在层叠了多个芯片时成为规定的厚度。

2.根据权利要求1所述的层叠芯片的制造方法,其特征在于,

在该芯片形成步骤中,通过在沿着交叉的多条分割预定线在晶片中形成了分割用的构造之后对晶片的背面进行磨削,从而使晶片变薄而将该晶片分割成多个芯片。

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