[发明专利]具有快速恢复保护的静电放电保护环

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

半导体衬底，其具有第一导电类型并具有限定电路区域和横向围绕所述电路区域的周边区域的顶表面；

第一掩埋层，其在所述顶表面下方且位于所述电路区域内并且与所述周边区域相邻，所述第一掩埋层具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；以及

周边结构，其位于所述周边区域内且与所述顶表面相邻，所述周边结构包括：

具有所述第一导电类型的第一接触区域，

具有所述第二导电类型的第二接触区域，所述第二接触区域介于所述第一掩埋层和所述第一接触区域之间；

第二掩埋层，其具有所述第二导电类型，所述第二掩埋层在所述第一接触区域和所述第二接触区域下方延伸；以及

第一掺杂区域，其具有所述第一导电类型和比所述半导体衬底更高的掺杂浓度，所述第一掺杂区域从所述第一接触区域延伸到所述第二掩埋层。

2.根据权利要求1所述的集成电路，进一步包括：

双极晶体管结构，其具有：

集电极区域，其在所述第一掩埋层中；

基极区域，其从所述第一接触区域延伸到所述半导体衬底的介于所述第二接触区域和所述第一掩埋层之间的部分；以及

发射极区域，其在所述第二接触区域中。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一接触区域和所述第二接触区域中的每个在所述周边区域内连续延伸并且横向围绕所述电路区域。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一接触区域和所述第二接触区域中的每个在所述周边区域内被分段并且横向围绕所述电路区域。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一掺杂区域与所述第一接触区域接触。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述周边结构包括：

第二掺杂区域，其具有所述第一导电类型和比所述半导体衬底更高的掺杂浓度，所述第二掺杂区域介于所述第二接触区域和所述第一掩埋层之间。

7.根据权利要求1所述的集成电路，进一步包括：

横向漏极金属氧化物半导体晶体管即LDMOS晶体管，其在所述电路区域内，所述LDMOS晶体管具有：

漏极接触区域，其与所述顶表面相邻；

第三掺杂区域，其具有所述第二导电类型并从所述漏极接触区域延伸到所述第一掩埋层；

源极接触区域，其位于所述周边结构和所述漏极接触区域之间；以及

第四掺杂区域，其具有所述第二导电类型并从所述第一掩埋层延伸到与所述源极接触区域相邻的所述顶表面。

8.根据权利要求1所述的集成电路，进一步包括：

二极管，其具有：

阴极接触区域，其在所述电路区域内并与所述顶表面相邻；

第三掺杂区域，其具有所述第二导电类型并从所述阴极接触区域延伸到所述第一掩埋层；以及

阳极区域，其从所述第一接触区域延伸到所述半导体衬底的介于所述第二接触区域和所述第一掩埋层之间的部分。

9.根据权利要求1所述的集成电路，进一步包括：

第一电极，其被配置为接收高于1kV的电压；

第三掺杂区域，其具有所述第二导电类型并在所述第一电极和所述第一掩埋层之间建立放电路径；以及

第二电极，其被配置为接收接地电源电压，并且所述第二电极耦合到所述第一接触区域和所述第二接触区域以延伸所述放电路径。

10.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一导电类型是P型，并且所述第二导电类型是N型。

11.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一接触区域和所述第二接触区域在所述半导体衬底的所述顶表面上方耦合到公共电极。