[发明专利]有机发光二极管显示装置

权利要求书

1.一种有机发光二极管显示装置，该有机发光二极管显示装置包括：

第一基板；

多条选通线和多条数据线，所述多条选通线和所述多条数据线彼此交叉以限定显示区域中的多个像素区域；

薄膜晶体管TFT，所述薄膜晶体管位于所述第一基板上并且位于所述多个像素区域中的每一个中；

第一电极，所述第一电极具有位于所述薄膜晶体管上的第一边缘部、第二边缘部和中心部；

环岸，所述环岸被设置在所述第一电极的所述第一边缘部和所述第二边缘部上；

有机发光层，所述有机发光层包括依次堆叠的空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发光材料层EML和电子传输层ETL，所述有机发光层包括具有第一高度的中心区域以及位于所述第一电极的所述第一边缘部和所述第二边缘部上的具有第二高度的边缘区域；以及

第二电极，所述第二电极位于所述有机发光层上，

其中，所述有机发光层的中心区域与所述第一电极的中心部接触，并且所述有机发光层的边缘区域与所述环岸的侧表面接触，

其中，所述环岸包括第一环岸和位于所述第一环岸上的第二环岸，并且其中，所述第一环岸具有第一宽度，并且所述第二环岸具有小于所述第一宽度的第二宽度，

其中，所述第一环岸包括遮光材料，并且接触所述第一电极和所述第二环岸，并且

其中，通过在所述第一环岸和所述第一电极上形成环岸材料层之后利用UV光执行曝光步骤来形成所述第二环岸，并且所述第一环岸阻止所述UV光的穿过，以使得在所述有机发光层与所述第一电极的中心部之间不存在环岸材料的残留物。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第一高度小于所述第二高度。

3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第一电极的所述第二边缘部与所述数据线的边缘相邻，并且所述第一电极的所述第一边缘部连接到所述薄膜晶体管。

4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第二边缘部上的所述环岸的宽度比所述第一边缘部上的所述环岸的宽度窄。

5.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第一电极的所述第二边缘部上的所述环岸与所述数据线交叠，并且所述第一电极的所述第一边缘部上的所述环岸与所述薄膜晶体管交叠。

6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第一电极的所述第二边缘部上的所述环岸完全地覆盖所述数据线。

7.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述薄膜晶体管包括开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管，所述开关薄膜晶体管连接到所述多条选通线中的一条和所述多条数据线中的一条，所述驱动薄膜晶体管连接到所述开关薄膜晶体管，并且其中，所述第一电极的所述第一边缘部连接到所述驱动薄膜晶体管。

8.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述开关薄膜晶体管和所述驱动薄膜晶体管中的每一个包括栅电极、半导体层、源电极和漏电极。

9.根据权利要求8所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述半导体层包含氧化物半导体、非晶硅和多晶硅中的一种。

10.根据权利要求8所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述开关薄膜晶体管和所述驱动薄膜晶体管的所述半导体层包括氧化物半导体层。

11.根据权利要求8所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述开关薄膜晶体管和所述驱动薄膜晶体管的所述半导体层包括氧化物半导体层或多晶硅半导体层。

12.根据权利要求8所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述开关薄膜晶体管和所述驱动薄膜晶体管中的每一个还包括覆盖所述半导体层的中部的蚀刻停止层，并且其中，所述源电极和所述漏电极在所述蚀刻停止层上彼此间隔开。