[发明专利]负载驱动电路有效
申请号: | 201710936545.7 | 申请日: | 2017-10-10 |
公开(公告)号: | CN108075752B | 公开(公告)日: | 2023-05-12 |
发明(设计)人: | 中川翔 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H03K17/14 | 分类号: | H03K17/14;H03K17/567;H03K17/687 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 负载 驱动 电路 | ||
1.一种负载驱动电路,在负载的高侧对所述负载进行开启/关闭驱动,该负载驱动电路具备:
N沟道的晶体管,其连接于电源与所述负载之间;以及
电荷泵电路,其利用以所述电源的电压为基准的内部电源来进行动作,生成与所述电源的电压相比电压升高的栅极信号,
其中,所述电荷泵电路具有:
振荡部,其具有振荡电路、第一反相器电路以及第二反相器电路,所述第一反相器电路将由所述振荡电路输出的信号反相来输出第一振荡信号,所述第二反相器电路输出第二振荡信号,该第二振荡信号与所述第一振荡信号彼此反相;
开关部,其具有第一开关和第二开关,该第一开关连接于所述第一反相器电路的输出,该第二开关连接于所述第二反相器电路的输出,在对所述负载进行开启驱动时,所述第一开关和所述第二开关传递所述第一振荡信号和所述第二振荡信号,在对所述负载进行关闭驱动时,所述第一开关和所述第二开关切断所述第一振荡信号和所述第二振荡信号,并且,所述开关部具有第三开关和第四开关,该第三开关配置于所述第一开关的输出与所述负载驱动电路的地之间,该第四开关配置于所述第二开关的输出与所述负载驱动电路的地之间,在对所述负载进行关闭驱动时,所述第三开关和所述第四开关将所述第一开关的输出和所述第二开关的输出连接至所述负载驱动电路的地;以及
充电部,其具有第五开关、第六开关以及多个电容器,所述第五开关配置于所述电源与所述电容器之间,在对所述负载进行关闭驱动时,所述第五开关将从所述电源向所述电容器的供电切断,所述第六开关配置于输出所述栅极信号的端子与所述负载驱动电路的地之间,在对所述负载进行关闭驱动时,所述第六开关将输出所述栅极信号的端子连接至所述负载驱动电路的地,所述充电部接收从所述开关部传递的所述第一振荡信号和所述第二振荡信号,将对所述电容器进行充电得到的电压依次叠加来进行升压。
2.根据权利要求1所述的负载驱动电路,其特征在于,
所述开关部的所述第一开关和所述第二开关是在所述内部电源的地电位下导通且在所述电源的电压下截止的P沟道的MOSFET,
所述开关部的所述第三开关和所述第四开关是在被输入对所述负载进行开启驱动的输入信号时截止且在被输入对所述负载进行关闭驱动的输入信号时导通的N沟道的MOSFET。
3.根据权利要求1所述的负载驱动电路,其特征在于,
所述充电部的所述第五开关是在所述内部电源的地电位下导通且在所述电源的电压下截止的P沟道的MOSFET,所述第六开关是在被输入对所述负载进行开启驱动的输入信号时截止且在被输入对所述负载进行关闭驱动的输入信号时导通的N沟道的MOSFET。
4.根据权利要求1所述的负载驱动电路,其特征在于,
所述N沟道的晶体管是N沟道的MOSFET或N沟道的IGBT。
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