[发明专利]欧姆接触在审
| 申请号： | 201710935866.5 | 申请日： | 2017-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN107919389A | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 奥罗拉·康斯坦特;彼得·科庞 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司11270 | 代理人： | 吕艳英,姚开丽 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 欧姆 接触 | ||
1.一种用于氮化镓GaN装置的欧姆接触，包括：
第一层，所述第一层包括铝并与所述GaN装置直接耦接；所述GaN装置包括异质结构，所述异质结构具有未掺杂GaN沟道、半绝缘氮化铝镓AlGaN屏障以及耦接到所述AlGaN屏障的钝化层，所有前述项均可操作地耦接到基底；
第二层，所述第二层包括钛并耦接在所述第一层上；以及
第三层，所述第三层包括抗漫射材料并与所述第二层耦接；
其中所述钝化层围绕所述欧姆接触。
2.根据权利要求1所述的欧姆接触，其中所述钝化层为氮化硅Si3N4、GaN、二氧化硅SiO2、氧化铝Al2O3、二氧化铪HfO2、氮化铝AlN以及它们的任意组合中的至少一者。
3.根据权利要求1所述的欧姆接触，其中所述AlGaN屏障为介于20％和35％之间的Al并且具有介于10nm和40nm之间的厚度。
4.根据权利要求1所述的欧姆接触，其中所述第一层包括元素铝、铝铜AlCu、铝硅铜AlSiCu、铝硅AlSi、铝铜钨AlCuW以及它们的任意组合中的一者。
5.根据权利要求4所述的欧姆接触，其中所述第一层中任何微量元素的量少于5％。
6.根据权利要求1所述的欧姆接触，其中所述第三层包括氮化钛TiN、钨W、钒V、铂Pt、钼Mo、镍Ni以及它们的任意组合中的一者。
7.根据权利要求1所述的欧姆接触，还包括耦接在所述第二层与所述第三层之间的第四层，所述第四层包括元素铝、铝铜AlCu、铝硅铜AlSiCu、铝硅AlSi、铝铜钨AlCuW以及它们的任意组合中的一者。
8.一种用于氮化镓GaN装置的欧姆接触，包括：
第一层，所述第一层包括铝并与所述GaN装置直接耦接；所述GaN装置包括异质结构，所述异质结构具有未掺杂GaN沟道、半绝缘氮化铝镓AlGaN屏障以及耦接到所述AlGaN屏障的钝化层；
第二层，所述第二层包括钛并耦接在所述第一层上；
第三层，所述第三层包括抗漫射材料并耦接在所述第二层上，所述抗漫射材料包括氮化钛TiN、钨W、钒V、铂Pt、钼Mo、镍Ni以及它们的任意组合中的一者；以及
第四层，所述第四层包括铝并耦接在所述第二层与所述第三层之间；
其中所述钝化层围绕所述欧姆接触。
9.根据权利要求8所述的欧姆接触，其中所述第一层的厚度和所述第四层的厚度的总厚度介于50nm和300nm之间。
10.根据权利要求8所述的欧姆接触，其中所述第一层和所述第四层的所述总厚度与所述第二层的厚度之比分别小于3:1。
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