[发明专利]低能量背散射电子探测器有效
| 申请号： | 201710935508.4 | 申请日： | 2017-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN107917924B | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 李国庆;韩华;马宏图;陈曦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院自动化研究所 |
| 主分类号： | G01N23/203 | 分类号： | G01N23/203 |
| 代理公司： | 11482 北京瀚仁知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 宋宝库;王世超 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 覆膜 内圈 背散射电子探测器 低能量 半导体探测 探测器方向 成分信息 穿透能力 基底表面 探测效率 形貌信息 周向设置 石墨烯 形貌像 探测器 基底 探测 协同 | ||
【权利要求书】：
1.一种低能量背散射电子探测器，包括半导体探测基底和设置在所述半导体探测基底表面的覆膜，其特征在于，所述覆膜的材料为：铍、碳或石墨烯，或者这三种材料的任意组合。
2.根据权利要求1所述的低能量背散射电子探测器，其特征在于，所述覆膜的厚度≤10nm。
3.根据权利要求2所述的低能量背散射电子探测器，其特征在于，所述覆膜的厚度为5-10nm。
4.根据权利要求2所述的低能量背散射电子探测器，其特征在于，所述覆膜的厚度<5nm。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的低能量背散射电子探测器，其特征在于，所述低能量背散射电子探测器包括第一内圈部分和第二外圈部分。
6.根据权利要求5所述的低能量背散射电子探测器，其特征在于，所述第一内圈部分为环形，所述第二外圈部分包括绕所述第一内圈部分均匀地周向设置的多个子部分。
7.根据权利要求6所述的低能量背散射电子探测器，其特征在于，所述第二外圈部分包括两个对称设置的半环形子部分。
8.根据权利要求6所述的低能量背散射电子探测器，其特征在于，所述第二外圈部分包括四个对称设置的四分之一环形子部分。
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