[发明专利]基于EA的宽带EUV多层膜的离散化膜系设计方法

权利要求书

1.一种基于进化算法(EA)的宽带极紫外(EUV)多层膜的离散化膜系设计方法，其特征在于包括以下步骤：

(1)输入基于EA的宽带EUV多层膜离散化膜系设计方法初始参数值，初始参数值包括种群规模N、染色体个数n、交叉概率P_c、变异概率P_m，最大进化次数和膜层沉积时间搜索范围；

(2)对多层膜沉积时间进行实数编码，并随机生成对应膜系沉积时间的初始种群D(g)，g＝1；

(3)离散化多层膜膜系，并根据适应度函数计算表征离散化膜系的沉积时间D(g)中个体适应度，保存表征最优多层膜膜系的沉积时间的个体；

(4)判断算法是否满足终止条件，若满足则算法停止并输出最优的离散化膜系，若不满足则进行步骤(5)；

(5)通过交叉操作更新表征多层膜膜系沉积时间种群D(g)；

(6)通过变异操作更新表征多层膜膜系沉积时间种群D(g)；

(7)采用精英保留策略对表征多层膜膜系沉积时间的种群D(g)进行更新，进化代数g＝g+1，并转向步骤(3)；

其中，步骤(3)具体包括：在离散化多层膜膜系过程中，结合沉积速率，并将膜系设计中膜厚参数输入部分改进为以沉积速率为公差的等差数列的离散化膜厚输入，即

d＝d₀+round(t)·v

其中d为离散化设计膜厚输入，d₀为成膜膜厚，t为沉积时间，round(t)为对膜系设计时间四舍五入取整处理，v为相应膜层的沉积速率，以及，对于离散化宽角度EUV多层膜采用的适应度函数为

其中，为入射角，为目标反射率，为采用菲涅耳系数法计算的理论反射率。

2.根据权利要求1所述的设计方法，其特征在于：所述的宽带EUV多层膜包括非周期宽角度极紫外Mo/Si多层膜，所述Mo/Si多层膜的膜层为40-100周期，反射角带宽为0°-16°且反射率为40％-55％，或者射角带宽为0°-18°且反射率为40％-50％。

3.根据权利要求1所述的设计方法，其特征在于：所述的宽带EUV多层膜包括堆栈宽角度极紫外Mo/Si多层膜，所述Mo/Si多层膜的膜层为40-100周期，反射角带宽为0°-16°，反射率为40％-55％。

4.权利要求1-3中任一项所述的设计方法于堆栈宽角度EUV多层膜离散化膜系设计中的应用，所述的应用包括：增设输入堆栈数、相应堆栈中的膜层厚度和各堆栈周期数为所述基于EA的宽带EUV多层膜的离散化膜系设计方法的初始参数值，通过进化算法优化得到最优堆栈中相应堆栈的膜层厚度和各堆栈周期数，实现堆栈宽角度EUV多层膜膜系的优化设计。

5.如权利要求4所述的应用，其特征在于：所述堆栈宽角度EUV多层膜的膜层为40-100周期，堆栈数为3-10堆栈，堆栈周期数为3-25周期，堆栈周期厚度为6nm-8nm，反射角带宽为0°-16°，反射率为40％-55％。