[发明专利]单相三电平无桥PFC整流器

权利要求书

1.一种单相三电平无桥PFC整流器，包括交叉开关滤波网络、电力电子开关网络、直流电容C₁和直流电容C₂；其特征在于：所述交叉开关滤波网络的第一输入端与电源电压v_s的第一端相连，所述交叉开关滤波网络的第二输入端与电源电压v_s的第二端相连，所述交叉开关滤波网络的第一输出端与所述电力电子开关网络的第一输入端相连，所述交叉开关滤波网络的第二输出端与所述电力电子开关网络的第二输入端相连。

2.根据权利要求1所述单相三电平无桥PFC整流器，其特征在于：所述交叉开关滤波网络1包括电子开关S_p、电子开关S_n、电感L₁、电感L₂、电容C_p和电容C_n；所述电子开关S_p与所述电容C_p组成第一串联支路，所述电子开关S_n与所述电容C_n组成第二串联支路；第一串联支路中所述电子开关S_p的自由端与所述电感L₁的第一端相连作为所述交叉开关滤波网络的第一输入端与电源电压v_s的第一端相连，第一串联支路中所述电容C_p的自由端与所述电感L₂的第二端相连作为所述交叉开关滤波网络的第二输出端；第二串联支路中所述电子开关S_n的自由端与所述电感L₁的第二端相连作为所述交叉开关滤波网络的第一输出端，第二串联支路中所述电容C_n的自由端与所述电感L₂的第一端相连作为所述交叉开关滤波网络的第二输入端与电源电压v_s的第二端相连；

所述电力电子开关网络包括二极管D₁、二极管D₂、二极管D₃、二极管D₄、二极管D₅、二极管D₆、二极管D₇、二极管D₈、MOSFET开关管T₁及MOSFET开关管T₂；所述二极管D₁阳极分别与所述二极管D₂阴极、所述二极管D₅阴极、所述二极管D₆阳极相连，所述二极管D₃阳极分别与所述二极管D₄阴极、所述二极管D₇阴极、所述二极管D₈阳极相连，所述二极管D₁阴极与所述二极管D₃阴极相连，所述二极管D₂阳极与所述二极管D₄阳极相连，所述MOSFET开关管T₁源极分别与所述二极管D₅阳极、所述二极管D₇阳极相连，所述MOSFET开关管T₁漏极和所述MOSFET开关管T₂源极相连，所述MOSFET开关管T₂漏极分别与所述二极管D₆阴极、所述二极管D₈阴极相连；所述交叉开关滤波网络的第二输出端与所述二极管D₄的阴极相连，所述交叉开关滤波网络的第一输出端与所述二极管D₁的阳极相连。

3.根据权利要求2所述单相三电平无桥PFC整流器，其特征在于：所述直流电容C₁正极连接到所述二极管D₁阴极与所述二极管D₃阴极的接点，所述直流电容C₁负极连接到所述MOSFET开关管T₁漏极与所述MOSFET开关管T₂源极的接点；所述直流电容C₂正极与所述直流电容C₁负极相连，所述直流电容C₂负极连接到所述二极管D₂阳极与所述二极管D₄阳极的接点。

4.根据权利要求3所述单相三电平无桥PFC整流器，其特征在于：所述直流电容C₁的电压与直流电容C₂的电压相等。