[发明专利]一种基于液态浸泡法增强单层二硫化钼薄膜铁磁性的方法有效

专利信息
申请号: 201710934027.1 申请日: 2017-10-10
公开(公告)号: CN107808767B 公开(公告)日: 2019-05-24
发明(设计)人: 杨森;张垠;姚康康;周超 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: H01F41/02 分类号: H01F41/02;H01F1/34
代理公司: 北京鼎承知识产权代理有限公司 11551 代理人: 张波涛
地址: 710049 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 液态 浸泡 增强 单层 二硫化钼 薄膜 铁磁性 方法
【权利要求书】:

1.一种基于液态浸泡法增强单层二硫化钼薄膜铁磁性的方法,包括如下步骤:

1)利用多温区气氛炉制备单层二硫化钼薄膜;

2)制备不同浓度的锰离子溶液,将制备好的单层二硫化钼薄膜分别浸入不同浓度的锰离子溶液中,然后对锰离子溶液进行密封处理;

3)将浸有单层二硫化钼薄膜的锰离子溶液在50℃-300℃加热装置中加热1-4小时;

4)将单层二硫化钼薄膜从锰离子溶液中取出吹干。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述锰离子溶液包括如下任一:醋酸锰溶液、碳酸锰溶液、硝酸锰溶液和乙酰丙酮锰溶液。

3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于:所述锰离子溶液的浓度包括如下任一:0.01mol/L、0.005mol/L、0.002mol/L。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述加热装置包括恒温水浴锅和反应釜。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述吹干为氩气或者氮气吹干。

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