[发明专利]一种降低闪烁单晶制备过程中石英管破损率的方法有效

专利信息
申请号: 201710932518.2 申请日: 2017-10-10
公开(公告)号: CN107675247B 公开(公告)日: 2019-09-24
发明(设计)人: 祁阳;谭俊 申请(专利权)人: 东北大学
主分类号: C30B11/00 分类号: C30B11/00;C30B29/12;C30B29/46;C23C14/35;C23C14/06
代理公司: 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 代理人: 俞鲁江
地址: 110169 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 石英管 异形 单晶制备 破损率 闪烁 镀膜 取出 石英管内壁 单晶生长 单晶原料 反馈控制 晶体生长 晶体形成 闪烁晶体 上粗下细 外壁安装 完全分离 微观缺陷 应变幅度 倒置 碎石英 体内部 应变片 自吸收 粘连 倒出 拉拔 石英 装入 冷却 破损 清洗 挤压 开口 概率 预防
【说明书】:

发明公开一种降低闪烁单晶制备过程中石英管破损率的方法,将石英管拉拔成上粗下细的异形石英管,并在内壁镀膜,外壁安装应变片,通过应变幅度的反馈控制单晶生长速度,预防石英管破损,待晶体形成后将异形石英管倒置,待冷却到室温后,取出闪烁晶体。本发明的优点:装入单晶原料前在异形石英管内壁镀膜,既可避免异形石英管和生成晶体之间的粘连,利于将生成晶体与异形石英管管体完全分离,又可避免石英管直接挤压晶体,有助于减少晶体微观缺陷,降低晶体自吸收概率,降低晶体开裂风险,显著改善了闪烁体内部性能,此外,晶体生长降温完成后,不需要敲碎石英管取出晶体,只需开口倒出晶体即可,石英管清洗后可以循环使用。

技术领域

本发明属于晶体材料制备领域,具体涉及一种减小闪烁单晶制备中石英管破损率的方法。

背景技术

闪烁单晶材料通常是宽禁带半导体材料。高能光子(如紫外线、X射线、γ射线)入射时,与材料的晶格发生多一系列复杂交互作用,包括光电效应、康普顿散射和电子对效应,在该过程中,导带和价带中形成很多电子空穴对出并被激发。随后电子对和空穴(最终形成了激子)在材料中移动,并被禁带中的缺陷所捕获。电子和空穴在发光中心被捕获并发生辐射跃迁,形成闪烁发光。通过闪烁单晶材料可以把不可见的、不方便测量的高能光子,转化为一定波长范围、一定强度、一定持续时间的可见光,再使用通用的可见光检测器件,如光电倍增管(PMT)、光电二极管(PD)、电荷耦合器件(CCD)等,转化为脉冲电流或电压信号,使用信号处理和转换电路,转换为数字信号,即可实现高能光子的图像观察和光谱分析。闪烁单晶材料被广泛应用在各行业的射线探测中,在高能物理、核医学、空间探测、地质勘探等方面的射线探测过程中得到了大规模的应用。并且在国家安全(安全检查)、工业应用(无损探伤、实时监控)方面具有极大的发展潜力。

闪烁单晶材料要求原料纯度高,一般在99.99%以上,制备过程中最好在真空环境中,避免氧化反应和其他污染。制备过程一般是先加热到材料熔点以上,保温一段时间,待液态物质稳定后,采用下降法或提拉法缓慢移动,一般速度小于5mm/小时,使分子有足够的时间通过自由能的推动,在已生成的界面上规则排列成长程有序的单晶体。

与提拉法相比,下降法(又称坩埚下降法)有一些优势:可以把原料密封在坩埚里,减少了挥发造成的泄漏和污染,使晶体的成分容易控制;操作简单(下降法只需要上下移动,提拉法不但需要上下移动,同时还需要转动),可以生长大尺寸的晶体。可生长的晶体品种也很多,且易实现程序化生长;由于每一个坩埚中的熔体都可以单独成核,这样可以在一个结晶炉中同时放入若干个坩埚,可以大大提高成品率和工作效率。

目前下降法一般采用的石英管坩埚和铂金坩埚具有容易成型,密封方便,透明(可以直接观察晶体生长情况)等优势,应用更为广泛。然而石英管的膨胀系数小,在0~1000℃范围内线膨胀系数仅为5×10-6K-1,其体积随温度变化非常小,但闪烁晶体材料膨胀系数较低,比如碘化钠(NaI)膨胀系数为47.4×10-6K-1,闪烁晶体材料体积随温度变化比较大。传统石英管为圆柱体形状、底端带尖头,由于二者膨胀系数的差异,在闪烁单晶制备过程中,随着温度的变化,石英管非常容易涨裂,一旦涨裂,空气会从石英管裂隙进入样品中,样品一旦接触空气就会全部作废,从而导致前期制备过程中投入的全部原料、时间和消耗的全部能源也随之浪费。即使石英管没有在制备过程中涨裂,制备成功后仍然需要敲碎石英管才能取出晶体,故石英管只能一次性使用,这将造成极大的浪费。更为严重的是,石英管敲碎后,晶体与石英管粘连严重,晶体由于受到粘连力作用,内部产生裂纹而成为废品,整个制备过程制备失败率极高,会造成极大的资源浪费的技术问题。

发明内容

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