[发明专利]用于进行等离子体化学气相沉积工艺的方法和设备

权利要求书

1.一种用于进行等离子体化学气相沉积工艺的方法，所述方法包括以下步骤：

提供设备，所述设备包括大致为圆柱形的谐振器，所述谐振器设置有圆柱形外壁和同轴的圆柱形内壁，在所述圆柱形外壁和所述圆柱形内壁之间限定谐振腔，所述谐振腔能够以工作频率进行工作并且绕所述圆柱形外壁和所述圆柱形内壁的圆柱轴在圆周方向上延伸，所述圆柱形外壁包括能够连接至输入波导的输入端口，以及所述圆柱形内壁包括绕所述圆柱轴在圆周方向上延伸的狭缝部；以及

使所述设备以工作频率进行工作，使得限定所述狭缝部的孔径的最大尺寸小于所述工作频率的波长的一半。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述设备同轴地包围基管，其中所述基管的外直径大于所述工作频率的波长的1/3。

3.一种用于进行等离子体化学气相沉积工艺的设备，所述设备包括大致为圆柱形的谐振器，所述谐振器设置有圆柱形外壁和同轴的圆柱形内壁，在所述圆柱形外壁和所述圆柱形内壁之间限定谐振腔，所述谐振腔能够以工作频率进行工作并且绕所述圆柱形外壁和所述圆柱形内壁的圆柱轴在圆周方向上延伸，其中，所述圆柱形外壁包括能够连接至输入波导的输入端口，以及所述圆柱形内壁包括绕所述圆柱轴在圆周方向上延伸的狭缝部，其中，限定所述狭缝部的孔径的最大尺寸小于所述工作频率的波长的一半。

4.根据权利要求3所述的设备，其中，所述狭缝部的圆周尺寸小于所述工作频率的波长的一半。

5.根据权利要求3或4所述的设备，其中，所述狭缝部在环绕所述圆柱轴的两个狭缝线上错开。

6.根据权利要求3或4所述的设备，其中，所述狭缝部在圆柱方向上相对于彼此偏移。

7.根据权利要求3或4所述的设备，其中，所述狭缝部在圆柱方向上的宽度尺寸小于所述狭缝部的圆周尺寸。

8.根据权利要求3或4所述的设备，其中，所述圆柱形内壁包括两个或四个狭缝部。

9.根据权利要求3或4所述的设备，其中，所述狭缝部大致均匀地分布在所述圆周方向上。

10.根据权利要求3或4所述的设备，其中，包括位于相对于所述圆柱轴呈对称的位置的至少一对狭缝部。

11.根据权利要求3或4所述的设备，其中，至少一个狭缝部的截面面积不同于其它狭缝部的截面面积。

12.根据权利要求3或4所述的设备，其中，所述谐振腔在圆柱方向上的长度根据到所述圆柱轴的径向距离而改变。

13.根据权利要求3或4所述的设备，其中，还包括微波发生器，所述微波发生器被配置为产生所述工作频率的微波。

14.根据权利要求3或4所述的设备，其中，限定所述狭缝部的孔径的最大尺寸是线性尺寸。