[发明专利]相变存储器件

说明书

可以提供一种相变存储器件。相变存储器件可以包括多个区块、行控制块以及列控制块。行控制块可以被提供给每个区块以控制字线。列控制块可以被提供给每个区块以控制位线。当与行控制块和列控制块相邻的近程相变存储单元被选中时，位于除了参考区块之外的区块中的不同位置处的可以与近程相变存储单元间隔开的相变存储单元可以被选中。

相关申请的交叉引用

本申请要求2016年11月23日在韩国知识产权局提交的申请号为10-2016-0156703的韩国专利申请的优先权，其通过引用整体合并于此。

技术领域

各种实施例总体而言可以涉及一种相变存储器件，更具体地，涉及一种相变存储器件和区块。

背景技术

通常，半导体存储器件由多个存储单元和用于控制存储单元的电路组成。半导体存储器件由被配置为按组控制存储单元的存储体组成。存储体由收集存储单元的区域组成。存储单元被分类为存储体以控制存储单元，从而提高半导体存储器件的信号传输特性。

此外，存储体被分类为区块。半导体存储器件由存储体和用于控制区块的电路组成。类似于驱动一个存储体和一个存储器区块，电路同时驱动多个存储体和多个区块。

区块由多个存储单元组成。区块中的存储单元由提供给每个区块的行控制电路和列控制电路来选择性地控制。

根据相关技术，与远离行控制电路和列控制电路的远程单元相比较，电流相对地集中在与行控制电路和列控制电路相邻的近程单元。特别地，使用相变材料作为切换单元在交叉点结构中产生电流集中。

此外，当区块被同时驱动时，位于同一位置的存储单元被同时选中。因此，当近程单元被同时选中时，过量的峰值电流被集中在每个区块的近程单元。近程单元中的错误可以导致区块中可能无法修复的故障。

发明内容

根据实施例，可以提供一种相变存储器件。相变存储器件可以包括多个区块、行控制块以及列控制块。每个区块可以包括多个字线、多个位线以及布置在字线与位线的交叉点处的相变存储单元。相变存储单元可以包括包含相变材料的选择器。行控制块可以被布置在每个区块中以控制字线。列控制块可以被布置在每个区块中以控制位线。当与行控制块和列控制块相邻的近程相变存储单元被选中时，位于除了参考区块之外的区块中的不同位置处的可以与近程相变存储单元间隔开的相变存储单元可以被选中。

根据实施例，可以提供一种相变存储器件。相变存储器件可以包括多个区块、行控制块、列控制块以及地址改变单元。每个区块可以包括多个字线、多个位线以及布置在字线与位线的交叉点处的相变存储单元。相变存储单元可以包括包含相变材料的选择器和储存构件。行控制块可以被提供给每个区块。行控制块可以包括被配置为接收行地址的行解码器以控制字线。列控制块可以被提供给每个区块。列控制块可以包括被配置为接收列地址的列解码器以控制位线。地址改变单元可以被布置在除了参考区块之外的区块中的行控制块和列控制块中，以改变被使能的行地址和列地址的相位。

附图说明

图1是示出根据实施例的示例的相变存储器件的平面图。

图2至图5是示出根据实施例的示例的由每个区块选中的存储单元的平面图。

图6是示出根据实施例的示例的相变存储单元的立体图。

图7是示出根据实施例的示例的相变存储器件的行地址改变单元的平面图。

图8是示出根据实施例的示例的相变存储器件的行控制块的框图。

图9是示出根据实施例的示例的相变存储器件的列控制块的框图。

图10是示出根据实施例的示例的系统的框图。

具体实施方式