[发明专利]后端泵浦式小型化的可见光波长范围面发射半导体激光器

权利要求书

1.一种后端泵浦式小型化的可见光波长范围面发射半导体激光器，其特征在于：沿激光器光轴的方向从后到前依次包括泵浦光源、准直聚焦透镜组、带通光孔的热沉、半导体增益芯片、反射平片、非线性晶体和耦合输出镜。

2.根据权利要求1所述的后端泵浦式小型化的可见光波长范围面发射半导体激光器，其特征在于：所述泵浦光源、准直聚焦透镜组、带通光孔的热沉、半导体增益芯片、反射平片、非线性晶体和耦合输出镜均排列在同一条中心轴线上，该中心轴线同时为激光谐振腔的光轴。

3.根据权利要求1所述的后端泵浦式小型化的可见光波长范围面发射半导体激光器，其特征在于：所述带通光孔的热沉上的通光孔为圆锥台结构；此圆锥台结构在靠近增益芯片一端圆孔小，在靠近泵浦激光一端圆孔大。

4.根据权利要求1所述的后端泵浦式小型化的可见光波长范围面发射半导体激光器，其特征在于：所述半导体增益芯片从后到前依次包括对泵浦光高具有透过率而对基频红外激光具有高反射率的第一反射膜和用于产生基频红外激光的有源区层。

5.根据权利要求1所述的后端泵浦式小型化的可见光波长范围面发射半导体激光器，其特征在于：所述反射平片包括平片本体和设置有平片本体侧面的对基频激光具有高透过率且对倍频可见光具有高反射率的第二反射膜。

6.根据权利要求1所述的后端泵浦式小型化的可见光波长范围面发射半导体激光器，其特征在于：所述非线性晶体的两通光端面均设置有利于基频红外激光和倍频可见光透过的通光膜。

7.根据权利要求1所述的后端泵浦式小型化的可见光波长范围面发射半导体激光器，其特征在于：所述耦合输出镜为平凹镜，平凹镜的凹面镀有对基频红外激光具有高反射率和对倍频可见光具有高透过率的第四反射膜，平凹镜的平面镀有具有对倍频可见光高透过率的第五反射膜。

8.根据权利要求4所述的后端泵浦式小型化的可见光波长范围面发射半导体激光器，其特征在于：所述第一反射膜由高折射率层和低折射率层两种介质交替生长而成，该两种介质对泵浦光都透明且两种介质的光学厚度均为基频红外光波长的四分之一。

9.根据权利要求4所述的后端泵浦式小型化的可见光波长范围面发射半导体激光器，其特征在于：所述有源区层由发射基频红外光的量子阱层及吸收泵浦光从而产生光生载流子的势垒层交错组成，量子阱层的每个量子阱均置于增益芯片内基频光驻波场的波峰处以获得最大的激光器增益。

10.根据权利要求4所述的后端泵浦式小型化的可见光波长范围面发射半导体激光器，其特征在于：所述增益芯片的出射面设置有高势垒材料层，所述高势垒材料层用于阻止有源区的载流子迁移到表面产生非辐射复合并保护有源区材料不被氧化。