[发明专利]一种基于多指SiGe HBT的辐射强度检测器

权利要求书

1.一种基于多指SiGe HBT的辐射强度检测器，其特征在于，包括依次串联连接的：三八译码器（1）、起连接作用的第一排插（2）、可拆卸辐射强度探测阵列（3）、起连接作用的第二排插（4）、滤波器阵列（5）和A/D转换电路阵列（6）和FPGA芯片（7），所述FPGA芯片（7）的信号输入端还连接矩阵键盘（8），所述FPGA芯片（7）的输出端连接液晶显示器（10）以及连接三八译码器（1）的输入端；所述的A/D转换电路阵列（6）是由若干个结构相同的A/D转换电路构成，所述A/D转换电路的个数与构成滤波器阵列（5）的滤波器的个数相同；

所述的可拆卸辐射强度探测阵列（3）是由若干个结构相同的检测单元（3-1）构成，每一个检测单元（3-1）的输入端通过第一排插（2）连接所述三八译码器（1）的输出端，每一个检测单元（3-1）的输出端通过第二排插（4）连接所述滤波器阵列（5）的输入端；所述滤波器阵列（5）是由若干个结构相同的滤波器构成，所述滤波器的个数与构成可拆卸辐射强度探测阵列（3）的检测单元（3-1）的个数相同；

所述的检测单元（3-1）包括有一个多指SiGe HBT（G）、第一MOS开关管（T1）和第二MOS开关管（T2），其中，所述多指SiGe HBT（G）的基极接地，集电极连接第一MOS开关管（T1）的漏极，发射极连接第二MOS开关管（T2）的漏极，所述第一MOS开关管（T1）和第二MOS开关管（T2）的栅极通过第一排插（2）连接三八译码器（1）的输出端，源极通过第二排插（4）连接滤波器（5）的输入端；在所述的检测单元（3-1）中，所述的第一MOS开关管（T1）和第二MOS开关管（T2）采用隔离铅盒（16）进行封闭，用于与所述的多指SiGe HBT（G）进行隔离；

所述多指SiGe HBT（G）的集电极（Gc）上设置有U型结构的集电极n型掺杂区（15），所述集电极n型掺杂区（15）的U型凹槽内嵌入有基区p型掺杂区（14），所述基区p型掺杂区（14）的上端面内分别嵌入有3个发射极n型掺杂区（11、12、13），所述多指SiGe HBT（G）的基极（Ga）为梳状结构，且一体形成有4个基极齿（a），所述多指SiGe HBT（G）的发射极（Gb）为梳状结构，且一体形成有3个发射极齿（b），所述发射极的3个发射极齿（b）对应插入到基极的4个基极齿（a）的齿间内，所述基极（Ga）的4个基极齿（a）位于所述基区p型掺杂区（14）的上端面上，所述发射极的3个发射极齿（b）对应位于所述3个发射极n型掺杂区（11、12、13）的上端面上。

2.根据权利要求1所述的一种基于多指SiGe HBT的辐射强度检测器，其特征在于，所述FPGA芯片（7）还连接USB接口（9）。