[发明专利]一种制备高质量石墨烯的简易方法在审

专利信息
申请号: 201710925168.7 申请日: 2017-10-03
公开(公告)号: CN107416813A 公开(公告)日: 2017-12-01
发明(设计)人: 张红;王子韩 申请(专利权)人: 王干
主分类号: C01B32/19 分类号: C01B32/19
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 233600 安徽省亳州*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 制备 质量 石墨 简易 方法
【说明书】:

技术领域

本发明属于新材料制备领域,具体涉及一种高质量石墨烯简易快速的制备领域。

背景技术

石墨烯作为一种明星材料,自2010年获得诺贝尔奖以来,由于其优异的导电性、力学强度、光透过率、高活性位点等性质,在各领域具有突出的应用效果,迅速成为科学家们追向争逐的宠儿。众所周知,石墨烯(graphene)中碳原子以SP2杂化形成一种六角蜂窝状平面结构,其中,理论上,石墨烯仅指单原子层厚度的石墨,但由于石墨层间范德华力的作用,完全无缺陷的单原子层石墨烯的制备具有较大的难度,一般很难制备高纯度的单层石墨烯,大部分情况下的石墨烯是指具有少层(2-10层)的石墨片。目前,制备高质量石墨烯的方法主要有:化学气相沉积(CVD),这是一种可以实现高质量石墨烯制备的方法,但其具有较高的生产成本,且暂时无法大规模生产;机械剥离法,典型代表有球磨法,使用这种方法可以大规模制备石墨烯,但是制备的石墨烯层数及其不均匀,且不能控制石墨烯片层的大小,制备的石墨烯质量较差;化学法,典型代表有Hummers法,这种方法可以实现石墨烯的高质量制备,但是其制备的石墨烯周期较长,且过程中使用了多种强氧化剂和还原剂,对于后续的处理,又需要大量的溶剂进行清洗分离,会产生极多的污染,不符合目前绿色化学的要求。

截止目前,关于使用氯磺酸制备石墨烯主要有以下一些现有技术,首先,在2 0 1 0年B e h a b t u ,Nat. Nanotechnol ,2010 ,5 ,406]等提出一种石墨烯制备的新方法,该方法制备石墨烯过程复杂,周期长,且制备方法受诸多条件限制,不适用于大规模生产;中国专利CN102627272中使用氯磺酸和双氧水共同作用,制备石墨烯,整个反应过程激烈,不利于大规模生产;中国专利CN106145102A中公开了使用膨胀剂和氯磺酸共同作用制备石墨烯,该方法需要先将石墨粉与膨胀剂混合,且过程中后续一直使用氯磺酸,极度危险,不利于工业化生产。

发明内容

本发明为了解决目前制备石墨烯过程中生产周期长、生产成本高、制备的石墨烯质量差等问题,申请人经过长期的研究,多年摸索,现提出如下一种制备高质量石墨烯的方法,具体的,该方法包括以下步骤:

步骤S1:取一定量的石墨粉,先将该石墨粉放在高温烘箱中进行处理,取出后自然将至室温,再向该石墨粉中加入适量的氯磺酸,后不断搅拌上述混合物质,并且同时辅以超声波促进插层剥离,超声0.2-2小时后,停止超声和搅拌,分离出氯磺酸处理后的石墨粉,其中,氯磺酸和石墨粉的质量比为2-60:1;

步骤S2:再向前述氯磺酸处理后的石墨粉末中添加适量的剥离剂,混合均匀,其中,剥离剂和氯磺酸处理后的石墨粉的质量比为0.2-1:1;

步骤S3:最后将前述混合物质放入振动球磨机中进行最后的完全剥离,即可得到高质量的石墨烯,其中,振动球磨机的激振频率为2000-5000次/min,激振强度为6.23-15,球磨时间为1-2.5小时。

进一步的,所述步骤S1中的石墨粉选自人造石墨、膨胀石墨、鳞片石墨和微晶石墨中的一种或几种。所述石墨粉选自粒度不大于50微米,纯度大于99%的石墨粉,氯磺酸选自常规的分析纯实验品。

所述步骤S1中的高温烘箱中处理是指:处理温度为100-150℃,处理时间为0.5-1小时。

所述步骤S1中的超声和搅拌是指:超声频率为50-100kHZ,搅拌频率为150-250rpm。

所述步骤S2中的剥离剂是指:氯化钠、氯化钾、硝酸钠、碳酸钠和碳酸氢钠中的一种或几种。

所述步骤S3中优选还包括使用水洗的方式除去剥离剂。

本发明的有益效果:

(1)通过使用本发明提供的方法,可以快速实现高质量石墨烯的大规模制备,尤其是不会产生污染物质,得到的石墨烯具有极大的片层面积,石墨烯的层数分布均匀,且小于2层的石墨烯占比达到70%以上;

(2)本发明提供的方法可以大规模的实现高质量石墨烯的制备,不受反应场所和设备的限制,依据振动球磨机的处理能力,可以实现了每小时千克级的高质量石墨烯生产;

(3)本发明提供的方法中,提供使用搅拌的同时辅以超声处理,可以大幅度的缩短反应时间,并且有利于高质量石墨烯的制备。

(4)本发明提供的方法中,石墨烯片层保持了较好的结构,没有氧化,经测试制备的石墨烯,具有很好的导电、导热性能,其中电子迁移率超过10000 cm2 /(V·s),导热系数高达4400 W/(m·K)。

附图说明

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