[发明专利]一种U形槽悬臂梁结构的MEMS压电矢量水听器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710924451.8 申请日: 2017-09-30
公开(公告)号: CN109596208B 公开(公告)日: 2020-04-03
发明(设计)人: 李俊红;李东宁;任伟;汪承灏 申请(专利权)人: 中国科学院声学研究所
主分类号: G01H11/08 分类号: G01H11/08;B81C3/00;B81B7/02
代理公司: 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 代理人: 陈琳琳;李彪
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 悬臂梁 结构 mems 压电 矢量 水听器 及其 制备 方法
【说明书】:

本发明涉及一种U形槽悬臂梁结构的MEMS压电矢量水听器,所述MEMS压电矢量水听器的工作频率范围为10KHz以下;其包括:若干压电传感芯片(a)、对应的若干后置放大电路(b)、灌封结构(c);每个所述后置放大电路(b)上固定所述压电传感芯片(a),并内封在所述封装结构(c),且分别沿坐标系X轴、Y轴、Z轴放置;采用具有U形槽压电复合悬臂梁和质量块结构以及相应的灌封结构来构成MEMS压电矢量水听器,通过U形槽,使压电复合悬臂梁被分割为独立的若干压电单元,并且对所述若干压电单元进行电极串联,通过具有U形槽的压电复合悬臂梁和电极串联结构,明显提高了MEMS压电矢量水听器的灵敏度。

技术领域

本发明属于传感技术领域,具体涉及一种U形槽悬臂梁结构的MEMS压电矢量水听器及其制备方法。

背景技术

作为声呐系统的重要部件之一,矢量水听器广泛应用于水下声压信号的精确定位和测量。MEMS矢量水听器相对于传统矢量水听器具有体积小,低功耗、制造成本低、易成阵的优点。目前,矢量水听器根据其敏感转换元件的不同可主要分为以下几种:第一种矢量水听器的敏感转换元件采用共振隧穿二极管RTD;例如,中国专利号为ZL200610012991.0所公开的《一种共振隧穿仿生矢量水声传感器》。此种矢量水听器具有频响效果好、灵敏度高的优点,但其在工作过程中受温度及环境噪音影响很大,因而其存在抗干扰能力差的问题。第二种矢量水听器的敏感转换元件采用压敏电阻;例如,中国专利号为ZL200810079372.2所公开的《一种微纳仿生矢量水声传感器的封装结构》。此种矢量水听器具有体积小、成本低、工艺简单的优点,但其存在工作时需要外加电压、噪音大、换能器材料换能器效率差等问题。另外一种MEMS压电矢量水听器具有无源、工作稳定性好、噪声低、工艺相对简单等优点。但目前的MEMS压电矢量水听器灵敏度较低,严重阻碍了其实用化的道路。

发明内容

本发明的目的在于,为解决现有的MEMS矢量水听器存在上述的问题,本发明提供了一种U形槽悬臂梁结构的MEMS压电矢量水听器,所述MEMS压电矢量水听器采用具有U形槽压电复合悬臂梁和质量块结构以及相应的灌封结构来构成MEMS压电矢量水听器,通过U形槽,使压电复合悬臂梁被分割为独立的若干压电单元,并且在所述若干压电单元进行电极串联,通过具有U形槽的压电复合悬臂梁和电极串联结构,明显提高了MEMS压电矢量水听器的灵敏度。

为了实现上述目的,本发明提供了一种U形槽悬臂梁结构的MEMS压电矢量水听器,所述MEMS压电矢量水听器的工作频率范围为10KHz以下;其包括:若干压电传感芯片、对应的若干后置放大电路、灌封结构;每个所述后置放大电路上固定所述压电传感芯片,形成一个“回”字形结构,并内封在所述封装结构,且分别沿坐标系X轴、Y轴、Z轴放置。

所述压电传感芯片包括:质量块、压电复合悬臂梁、“口”字形支撑结构;所述压电复合悬臂梁的一端与所述质量块相连,其另一端与所述“口”字形支撑结构一侧的内壁相连,且所述质量块位于所述“口”字形支撑结构内,且与所述“口”字形结构相对且平行放置;所述“口”字形支撑结构的另外三侧的内壁与所述压电复合悬臂梁、所述质量块均不相连,形成一个U形狭缝;其中,所述“口”字形结构包括:一部分复合层和一部分SOI基底层;所述复合层位于所述SOI基底层之上;所述复合层位于所述SOI基底层和所述质量块的上方,且二者与所述压电复合悬臂梁组成横截面为U形的结构。当有惯性力作用,所述压电复合悬臂梁产生形变,使压电单元产生电荷。

所述复合层包括:绝缘氧化层、SOI硅层、SOI氧化层;所述SOI硅层位于所述SOI氧化层的上方,所述绝缘氧化层位于所述SOI硅层的上方,所述SOI硅层位于所述绝缘氧化层和所述SOI氧化层之间。所述质量块与所述支撑结构之间设有U形狭缝,被U形狭缝所包围的部分所述复合层为所述压电复合悬臂梁的一部分。

所述压电复合悬臂梁包括:若干压电复合弹性梁;所述压电复合弹性梁之间刻蚀有U形槽,且并排放置;所述压电复合弹性梁进一步包括:压电单元、绝缘氧化层、SOI硅层;所述压电单元位于所述绝缘氧化层的上方,所述绝缘氧化层位于所述SOI硅层的上方。

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