[发明专利]一种低压驱动电致形状记忆复合材料的制备方法

权利要求书

1.一种低压驱动电致形状记忆复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）将三维多孔材料浸渍于银纳米线分散液中，取出，干燥，组装形成三维银纳米线导电网络；

（2）将形状记忆高分子基体材料通过真空浇铸与三维银纳米线导电网络混合，再经过高温固化，得到低压驱动电致形状记忆复合材料。

2.根据权利要求1所述的一种低压驱动电致形状记忆复合材料的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，所述三维多孔材料为具备规整完善孔洞的多孔结构材料，其中孔洞的孔径为10μm-500μm，包括商用海绵、天然海绵和医用海绵中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的一种低压驱动电致形状记忆复合材料的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，所述银纳米线为采用多元醇法或水热合成法制备的长径比为100-1000的银纳米线。

4.根据权利要求1所述的一种低压驱动电致形状记忆复合材料的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，所述银纳米线分散液的浓度为1-10mg/mL；所述银纳米线分散液的溶剂包括乙醇。

5.根据权利要求1所述的一种低压驱动电致形状记忆复合材料的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，所述浸渍的时间为1-30分钟；所述干燥是在50-100℃鼓风干燥0.5-2h。

6.根据权利要求1所述的一种低压驱动电致形状记忆复合材料的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，所述形状记忆高分子基体材料为热致型形状记忆高分子材料，包括环氧树脂、聚氨酯、反式-1，4-聚异戊二烯、聚乳酸和聚己内酯中的任意一种。

7.根据权利要求1所述的一种低压驱动电致形状记忆复合材料的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，所述真空浇铸是将三维银纳米线导电网络浸入到形状记忆高分子基体材料中，一并放置在真空烘箱中抽真空5-30分钟。

8.根据权利要求1所述的一种低压驱动电致形状记忆复合材料的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，所述高温固化是在温度100-150℃的烘箱中固化3-6h。

9.根据权利要求1所述的一种低压驱动电致形状记忆复合材料的制备方法，其特征在于，重复步骤（1）的操作1-10次。

10.根据权利要求1所述的一种低压驱动电致形状记忆复合材料的制备方法，其特征在于，制备的低压驱动电致形状记忆复合材料中，银纳米线占形状记忆高分子基体材料的质量分数为0.1-10wt%。